Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (22)
IRLML2402TRPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3.9нКл Входная емкость: 110пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
176 245 шт

Под заказ:
19 000 шт
Аналоги:
531 407 шт
Цена от:
от 7,84
IRLML2803TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 85пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
463 969 шт

Под заказ:
12 800 шт
Аналоги:
276 808 шт
Цена от:
от 7,93
BSP250,115 Транзистор полевой P-канальный 30В 3A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.65Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
40 шт
Цена от:
от 83,75
STP17NK40ZFP Транзистор полевой N-канальный 400В 15А 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
92 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 279,36
STP20NM50 Транзистор полевой N-канальный 500В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 192Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
82 шт

Под заказ:
80 шт
Цена от:
от 376,70
BSP250,135 Транзистор полевой P-канальный 30В 3A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.65Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
40 шт
Цена от:
от 83,75
IRFB20N50KPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 20А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2870пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP26N60LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 470Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5020пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP460BPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 20A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 278Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 3094пФ Тип монтажа: Through Hole
PHT4NQ10T,135 Полевой транзистор N-канальный 100В 3.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 6.9Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.4нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMV213SN,215 Транзистор полевой N-канальный 100В 1.9А 2Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2328DS-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 1.15 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.15A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI2328DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 1.15 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.15A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Тип монтажа: Surface Mount
Акция STD6NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 6А 0.22 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STF19NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole
STP19NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole
STW19NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole
STW20NM50FD Транзистор полевой N-канальный 500В 20А 214Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1380пФ Тип монтажа: Through Hole
ZXMN10A08E6TA Полевой транзистор N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.7нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A08E6TC Полевой транзистор N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.7нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"