Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (44)
IRFP360LCPBF IRFP360LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP360PBF IRFP360PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
4500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP9140PBF IRFP9140PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 21А 180Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFR014PBF IRFR014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7А 25Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFU014PBF IRFU014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLD014PBF IRLD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
HVMDIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLIZ14GPBF IRLIZ14GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLL014TRPBF IRLL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLR014PBF IRLR014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLU014PBF IRLU014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLZ14PBF IRLZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS356AP NDS356AP Транзистор полевой P-канальный 30В 1.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
4.4нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDT014 NDT014 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.13A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTR4502PT1G NVTR4502PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 1.95A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.13A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"