Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1888)
Surface Mount (3511)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (36)

IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

120нКл @ 10В

Входная емкость:

4520пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP054PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

160нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP150PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 41A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

41A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

97A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

4820пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 230Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

4520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

112 шт

Цена от:

от 159,54₽

IRFS3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

5.8 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3307ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

5.8 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7537TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

173A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В @ 150 µA

Заряд затвора:

210нКл @ 10В

Входная емкость:

7020пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFSL3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

120нКл @ 10В

Входная емкость:

4520пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFSL4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

97A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

9 мОм @ 58А, 10В

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

120нКл @ 10В

Входная емкость:

4820пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFSL7437PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

225нКл

Входная емкость:

7330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTP80N10T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 230Вт

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80А

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Automotive

Сообщить о поступлении

PSMN009-100B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

8.8 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

156нКл

Входная емкость:

8250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN009-100P,127 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

8.8 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

156нКл

Входная емкость:

8250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW11NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 8,3А 230Вт, 1,38 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

1000В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

1.38 Ом

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

162нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW12NK95Z Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 10 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

950В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

113нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"