Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (66)
IRLML6402 IRLML6402 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7A SOT-23
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
65 мОм @ 3.7А, 4.5В
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В @ 250 µA
Заряд затвора:
12нКл @ 5В
Входная емкость:
633пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
56 677 шт

Внешние склады:
709 337 шт
Аналоги:
114 955 шт
Цена от:
от 1,86
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
633пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
98 305 шт

Внешние склады:
16 650 шт
Аналоги:
766 014 шт
Цена от:
от 6,66
IRLML9301 IRLML9301 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6А 1.3Вт
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6А
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
66 543 шт

Внешние склады:
54 307 шт
Аналоги:
56 933 шт
Цена от:
от 3,18
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
64 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
388пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 317 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Аналоги:
275 999 шт
Цена от:
от 8,58
Акция
NTR4503N NTR4503N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7А 1.3Вт
Производитель:
SHIKUES
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7А
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
49 925 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
86 181 шт
Цена от:
от 3,54
Акция
SK2331A SK2331A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.3А 1.3Вт
Производитель:
SHIKUES
Корпус:
SC-59
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.3А
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
15 000 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
86 066 шт
Цена от:
от 5,16
Акция
SK3400 SK3400 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.3Вт
Производитель:
SHIKUES
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.3А
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
20 803 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
90 809 шт
Цена от:
от 2,70
IRLML6346 IRLML6346 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.4А 1.3Вт
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.4А
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 шт

Внешние склады:
50 620 шт
Аналоги:
46 997 шт
Цена от:
от 1,86
DMG4435SSS-13 DMG4435SSS-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.3A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
35.4нКл
Входная емкость:
1614пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN10H220L-7 DMN10H220L-7 Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A SOT-23
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.4A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
220 мОм @ 1.6А, 10В
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
8.3нКл @ 10В
Входная емкость:
401пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP4015SPS-13 DMP4015SPS-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 8.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
PowerDI5060-8 (4.9x5.8)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
47.5нКл
Входная емкость:
4234пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD2670 FDD2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1228пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5680 FDD5680 Полевой транзистор N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1835пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5690 FDD5690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6612A FDD6612A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.4нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6630A FDD6630A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
462пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6670A FDD6670A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1755пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6680AS FDD6680AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8447L FDD8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 44Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
15.2A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFD014PBF IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"