Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (37)
Акция
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
24.5 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4105ZTRPBF IRFR4105ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
24.5 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLI540G IRLI540G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт 0.044 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLR120NPBF IRLR120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
71 868 шт
Цена от:
от 9,24
IRLR120NTRLPBF IRLR120NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
71 868 шт
Цена от:
от 9,24
IRLR8259PBF IRLR8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLU8259PBF IRLU8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
MTP3055VL MTP3055VL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
RFD14N05L RFD14N05L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
146нКл
Входная емкость:
4230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
5125пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR460DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2071пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STFW24N60M2 STFW24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STL12N65M5 STL12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
644пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"