Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
IRFD014PBF IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD020PBF IRFD020PBF Транзистор полевой N-канальный 50В 2.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFD024PBF IRFD024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD110PBF IRFD110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFD123PBF IRFD123PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFD210PBF IRFD210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD224PBF IRFD224PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
630мА
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD320PBF IRFD320PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 0.6А 1.3Вт, 1.8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
490мА
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
410пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD9010PBF IRFD9010PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 1.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Транзистор полевой P-канальный 60В 1.1А 1.3Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.6 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD9024PBF IRFD9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFD9120PBF IRFD9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFD9210PBF IRFD9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.9нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD9220PBF IRFD9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.56А 1.3Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
560мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFDC20PBF IRFDC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLD110PBF IRLD110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.1нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"