- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
DMG4822SSD-13
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 10 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOIC8
DMG4822SSDQ-13
Производитель: Diodes Incorporated
DMG6968U-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 6.5A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6.5A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 810мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Заряд затвора: 8.5нКл
Входная емкость: 151пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMG7430LFG-7
Транзистор полевой N-канальный 30В 10.5A Aвтомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: PowerDI3333-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 10.5A
Сопротивление открытого канала: 11 мОм
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 26.7нКл
Входная емкость: 1281пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN1019UFDE-7
Транзистор полевой N-канальный 12В 11A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: uDFN6
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 690мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ
Заряд затвора: 50.6нКл
Входная емкость: 2425пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN1025UFDB-7
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Производитель: Diodes Incorporated
Тип транзистора: N-канал
DMN10H220L-7
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A SOT-23
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.4A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 220 мОм @ 1.6А, 10В
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 8.3нКл @ 10В
Входная емкость: 401пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
DMN10H700S-7
Полевой транзистор N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 700мА
Сопротивление открытого канала: 700 мОм
Мощность макс.: 400мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 4.6нКл
Входная емкость: 235пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2004DWK-7
Полевой транзистор N-канальный 20В 0.54A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 540мА
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 200мВт
DMN2004K-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 0.63A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 630мА
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Входная емкость: 150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2004WK-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 540мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 540мА
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 200мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Входная емкость: 150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2005LP4K-7
Полевой транзистор N-канальный 20В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-883
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 200мА(Ta)
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом @ 10mА, 4В
Мощность макс.: 200мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ @ 100 µA
Входная емкость: 41пФ @ 3В
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2005LPK-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 0.44A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-883
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 440мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 450мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2011UFX-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 12.2A Aвтомобильного применения 4-Pin VDFN EP лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 12.2A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
DMN2020LSN-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 6.9A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6.9A
Сопротивление открытого канала: 20 мОм
Мощность макс.: 610мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 11.6нКл
Входная емкость: 1149пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2022UFDF-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 7.9A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: uDFN6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 7.9A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 660мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 907пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2041L-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 6.4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6.4A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 780мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Заряд затвора: 15.6нКл
Входная емкость: 550пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2046U-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 3.4A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.4A
Сопротивление открытого канала: 72 мОм
Мощность макс.: 760мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±12В
Заряд затвора: 3.8нКл
Входная емкость: 292пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2050L-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 5.9A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 5.9A
Сопротивление открытого канала: 29 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Заряд затвора: 6.7нКл
Входная емкость: 532пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMN2056U-7
Транзистор полевой N-канальный 20В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 38 мОм
Мощность макс.: 940мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±8В
Заряд затвора: 4.3нКл
Входная емкость: 339пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара