- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы IXYS Corporation
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (60)
Акция
![]()
IXTH75N10L2
Транзистор полевой N-канальный 100В 75A TO-247
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247 (IXTH)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 21 мОм @ 500mА, 10В
Мощность макс.: 400Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 215нКл @ 10В
Входная емкость: 8100пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IXTH75N10L2
Транзистор полевой N-канальный 100В 75A TO-247
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247 (IXTH)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 21 мОм @ 500mА, 10В
Мощность макс.: 400Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 215нКл @ 10В
Входная емкость: 8100пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IXTH88N30P
Транзистор полевой N-канальный 300В 88А 600Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 88A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 600Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 6300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXTH88N30P
Транзистор полевой N-канальный 300В 88А 600Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 88A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 600Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 6300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXTK120N25P
Транзистор полевой N-канальный 250В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-264
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 700Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 185нКл
Входная емкость: 8000пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXTK22N100L
Полевой транзистор, N-канальный, 1000В 22А 700Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-264
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Тип транзистора: N-канал
IXTN210P10T
Полевой транзистор P-канальный 100В 210A SOT-227
Производитель: IXYS Corporation
IXTP02N120P
Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 1200 В 75 Ом 33 Вт монтаж на фланец
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Тип транзистора: N-канал
IXTP10P50P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 10A TO-220
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 10A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 50нКл @ 10В
Входная емкость: 2840пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IXTP3N120
Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXTP3N50D2
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-220
IXTP80N10T
Транзистор полевой N-канальный 100В 80А 230Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Тип транзистора: N-канал
IXTQ50N25T
Транзистор полевой N-канальный 50А 250В 60мОм [TO-3P]
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 400Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 4000пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXTR102N65X2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 54A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Производитель: IXYS Corporation
IXTT1N300P3HV
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 3кВ 1A TO-268HV
Производитель: IXYS Corporation
IXTT1N450HV
Транзистор полевой N-канальный 4500В 1A TO268
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-268AA
Напряжение исток-сток макс.: 4500В (4.5kВ)
Ток стока макс.: 1A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 85 Ом @ 50mА, 10В
Мощность макс.: 520Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 6.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 40нКл @ 10В
Входная емкость: 1730пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IXTT6N120
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 6A TO-268
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-268AA
Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.: 6A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.6 Ом @ 3А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 56нКл @ 10В
Входная емкость: 1950пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IXTY01N100D
Полевой транзистор N-канальный 1000В 0.1A TO-252AA
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 1000В (1kВ)
Ток стока макс.: 100мА(Tc)
Сопротивление открытого канала: 110 Ом @ 50mА, 0В
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Depletion Mode
Входная емкость: 120пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IXTY02N120P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 200MA DPAK
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.: 200мА(Tc)
Сопротивление открытого канала: 75 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA
Заряд затвора: 4.7нКл @ 10В
Входная емкость: 104пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IXTY08N100D2
Полевой транзистор N-канальный 1кВ 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 800мА
Сопротивление открытого канала: 21 Ом
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Depletion Mode
Заряд затвора: 14.6нКл
Входная емкость: 325пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IXTY1R6N50D2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 1.6A DPAK
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 1.6A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом @ 800mА, 0В
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Depletion Mode
Заряд затвора: 23.7нКл @ 5В
Входная емкость: 645пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
MMIX1F520N075T2
Полевой транзистор N-канальный 75В 500A 21-Pin
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: 24-SMPD
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 500A
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм
Мощность макс.: 830Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 545нКл
Входная емкость: 41000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара