Одиночные MOSFET транзисторы IXYS Corporation

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (60)
IXFK240N25X3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 240A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Производитель: IXYS Corporation
IXFK80N60P3 Транзистор полевой N-канальный 600В 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 13100пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFN110N60P3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 90 А, 1500 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-227
IXFN360N15T2 Транзистор полевой N-канальный 150В 310A 4-Pin SOT-227B Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-227 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 310A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 1070Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 715нКл Входная емкость: 47500пФ Тип монтажа: Chassis Mount
IXFN400N15X3 Производитель: IXYS Corporation
IXFR140N20P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 90A ISOPLUS 247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247-3
IXFX240N25X3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 240A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 Производитель: IXYS Corporation
IXFX27N80Q Транзистор полевой N-канальный 800В 27A Производитель: IXYS Corporation Корпус: PLUS247[тм]-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 27A(Tc) Сопротивление открытого канала: 320 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 4mA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 7600пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXFX64N60P Полевой транзистор N-канальный 600В 64A PLUS247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: PLUS247[тм]-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 64A(Tc) Сопротивление открытого канала: 96 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 1040Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 8mA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 12000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IXKH30N60C5 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 30 А 310 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247
IXKR25N80C Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 25 А Производитель: IXYS Corporation Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 18А, 10В Тип транзистора: N-канал Особенности: Super Junction Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 2mA Заряд затвора: 355нКл @ 10В Тип монтажа: Through Hole
IXTA02N250HV Транзистор полевой MOSFET N-канальный 2.5кВ 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Производитель: IXYS Corporation
Акция IXTA06N120P Транзистор полевой N-канальный 1200В 0.6A Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 600мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 32 Ом @ 300mА, 10В Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 50 µA Заряд затвора: 13.3нКл @ 10В Входная емкость: 270пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N120 Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N120TRL Транзистор полевой N-канальный 1200В 3А 200Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N150HV. Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263
Акция IXTA50N25T Транзистор полевой N-канальный 250В 50А 400Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IXTA60N20T Транзистор полевой N-канальный 200В 60А 500Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 60A Тип транзистора: N-канал
IXTH10P60 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 600В 10A TO-247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 160нКл @ 10В Входная емкость: 4700пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXTH48N65X2 Транзистор полевой N-канальный 650В 48А 660Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 660Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 4420пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице: