Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (269)
PMZ290UNE2YL Транзистор полевой N-канальный 20В 1.2A 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 46пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMZB290UNE,315 Полевой транзистор N-канальный 20В 1A 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 0.68нКл Входная емкость: 83пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMZB350UPE,315 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 1.9нКл Входная емкость: 127пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMZB390UNEYL Полевой транзистор N-канальный 30В 0.9A 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 1.3нКл Входная емкость: 41пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN009-100B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 156нКл Входная емкость: 8250пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN009-100P,127 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 156нКл Входная емкость: 8250пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN011-30YLC,115 Полевой транзистор N-канальный 30В 37A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 37A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 29Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.95В Заряд затвора: 10.3нКл Входная емкость: 641пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN013-30YLC,115 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 32 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 13.6 мОм Мощность макс.: 26Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.95В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 521пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN014-40YS,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 702пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN015-100B,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4900пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN015-100P,127 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4900пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN015-60PS,127 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 14.8 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20.9нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN016-100BS,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A(Tj) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 148Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 49нКл @ 10В Входная емкость: 2404пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
PSMN020-100YS,115 Транзистор полевой N-канальный 100В 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 20.5 мОм Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2210пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN025-100D,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 25 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 61нКл @ 10В Входная емкость: 2600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
PSMN027-100PS,127 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 37A Сопротивление открытого канала: 26.8 мОм Мощность макс.: 103Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1624пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN028-100YS,115 Полевой транзистор N-канальный 100В 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27.5 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1634пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN030-150B,118 Транзистор полевой N-канальный 150В 55.5A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 55.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3680пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN030-60YS,115 Транзистор полевой N-канальный Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 24.7 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 686пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN034-100PS,127 Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 34.5 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23.8нКл Входная емкость: 1201пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице: