- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
2SK4177-DL-1E
Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 1500В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 13 Ом
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Заряд затвора: 37.5нКл
Входная емкость: 380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
2SK793
Полевой транзистор, N-канальный, 850В 5А 150Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
2SK793
Полевой транзистор, N-канальный, 850В 5А 150Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Акция
![]()
2V7002KT1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 320мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 0.7нКл
Входная емкость: 24.5пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2V7002KT1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 320мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 0.7нКл
Входная емкость: 24.5пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
![]()
2V7002LT1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА, 0.225Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 115мА
Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2V7002LT1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА, 0.225Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 115мА
Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2V7002LT3G
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.115A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 115мА
Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом
Мощность макс.: 225мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2V7002WT1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 310мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SC-70-3 (SOT323)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 310мА
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 280мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 0.7нКл
Входная емкость: 24.5пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ATP114-TL-H
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 55A ATPAK
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: ATPAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 55A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Заряд затвора: 92нКл @ 10В
Входная емкость: 4000пФ @ 20В
Тип монтажа: Surface Mount
ATP301-TL-H
Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 28 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: ATPAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 75 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Заряд затвора: 73нКл
Входная емкость: 4000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ATP302-TL-H
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 70 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: ATPAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 13 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Заряд затвора: 115нКл
Входная емкость: 5400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BBS3002-DL-1E
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Тип транзистора: P-канал
Акция
![]()
BS107A
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.25 А, 0.35 Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92/formed lead
BS107A
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.25 А, 0.35 Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92/formed lead
BS107ARL1G
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 250 мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
BS108ZL1G
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92/formed lead
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 250мА
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Входная емкость: 150пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS170
Транзистор полевой 60В 0.5А 0.83Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS170_D26Z
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS170_D27Z
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS170_D74Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500MA TO-92
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Тип транзистора: N-канал
BS170_D75Z
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS270
Транзистор полевой N-канальный 60В 400мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 400мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 625мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS270_D74Z
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 400 мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара