- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
CPH6350-TL-W
Транзистор полевой P-канальный 30В 6A 6-Pin CPH лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 6-CPH
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 43 мОм
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CPH6354-TL-W
Полевой транзистор P-канальный -60В -4A 100мОм
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 4A
Тип транзистора: P-канал
CPH6445-TL-W
Полевой транзистор N-канальный 60В 3.5A 6-Pin CPH лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 6-CPH
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 117 мОм
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive
Заряд затвора: 6.8нКл
Входная емкость: 310пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FCA16N60N
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 199 мОм
Мощность макс.: 134.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 52.3нКл
Входная емкость: 2170пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCA20N60_F109
Транзистор полевой N-канальный 600В 20A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 3080пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCA22N60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 22A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 205Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1950пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
FCA36N60NF
Транзистор полевой N-канальный 600В 34.9A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 34.9A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 95 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.: 312Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 112нКл @ 10В
Входная емкость: 4245пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
FCA36N60NF
Транзистор полевой N-канальный 600В 34.9A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 34.9A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 95 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.: 312Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 112нКл @ 10В
Входная емкость: 4245пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
FCA47N60F
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 47 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 73 мОм
Мощность макс.: 417Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 270нКл
Входная емкость: 8000пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCA47N60_F109
Транзистор полевой N-канальный 600В 47A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 417Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 270нКл
Входная емкость: 8000пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCB36N60NTM
Транзистор полевой N-канальный 600В 36A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 36A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 312Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 112нКл
Входная емкость: 4785пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
FCD380N60E
Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 106Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 106Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1770пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FCD380N60E
Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 106Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 106Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1770пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FCD5N60-F085
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
FCD5N60TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 4.6A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 950 мОм @ 2.3А, 10В
Мощность макс.: 54Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 16нКл @ 10В
Входная емкость: 600пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
FCD600N60Z
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.4 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7.4A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 89Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 1120пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FCD900N60Z
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 4.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 720пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FCD9N60NTM
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 385 мОм
Мощность макс.: 92.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 17.8нКл
Входная емкость: 1000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FCH023N65S3L4
SUPERFET MOSFET N-Channel 650 V, 75 A, 23 mOh
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247-4L
FCH023N65S3_F155
Производитель: ON Semiconductor
FCH041N60E
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 77 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 77A
Сопротивление открытого канала: 41 мОм
Мощность макс.: 592Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 380нКл
Входная емкость: 13700пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCH041N60F
Транзистор полевой N-канальный 600В 76A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 76A
Сопротивление открытого канала: 41 мОм
Мощность макс.: 595Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 360нКл
Входная емкость: 14365пФ
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара