Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
NVD6416ANLT4G-VF01 Полевой транзистор N-канальный 100В 19A DPAK Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVF2955T1G Транзистор полевой P-канальный 60В 2.6А 2.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14.3нКл Входная емкость: 492пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVF3055L108T1G Транзистор полевой N-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVGS4111PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 3.7A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.7A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive
NVGS5120PT1G Транзистор полевой P-канальный 60В 2.5A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 111 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 18.1нКл Входная емкость: 942пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVJD4152PT1G Полевой транзистор P-канальный 20В 1A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive
NVJS4405NT1G Транзистор полевой N-канальный 25В 1A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 630мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVMFS4C03NWFT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 31.4A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor
NVMFS5826NLWFT1G Полевой транзистор N-канальный 60В 8A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 24 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 850пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
NVMFS5885NLT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 10.2A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10.2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 21нКл @ 10В Входная емкость: 1340пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
NVMFS5C426NWFAFT1G Полевой транзистор N-канальный 40В 41A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 41A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
NVMFS5C442NLAFT3G Полевой транзистор N-канальный 40В 29A 130A 5DFN Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 29A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
NVMFS5C442NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 27A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor
NVMFS5C450NLWFAFT1G Полевой транзистор N-канальный 40В DFN5 Производитель: ON Semiconductor
NVMFS5C604NLT1G Полевой транзистор N-канальный 60В 40A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 40A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
Акция NVMFS5C680NLT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 21А 27.5мОм Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Тип транзистора: N-канал
NVMFS6H800NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 28A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor
NVMFS6H818NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 20A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor
NVMFS6H818NWFT1G Полевой транзистор N-канальный 80В 20A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 20A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
NVMFS6H836NT1G Производитель: ON Semiconductor
На странице: