Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STU8N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 7A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 690пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU8N80K5
Транзистор полевой N-канальный 800В 6A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 16.5нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU9N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5.5A
Сопротивление открытого канала: 780 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 320пФ
Тип монтажа: Through Hole
STV240N75F3
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 240 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerSO10
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 6800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STV300NH02L
Транзистор полевой N-канальный 24В 280A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: PowerSO10
Напряжение исток-сток макс.: 24В
Ток стока макс.: 200A
Сопротивление открытого канала: 1 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 109нКл
Входная емкость: 7055пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STW10N95K5
Транзистор полевой N-канальный 950В 8A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 630пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW10NK80Z
Транзистор полевой N-канальный 800В 9A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 2180пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW11NK100Z
Транзистор полевой N-канальный 1000В 8,3А 230Вт, 1,38 Ом
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 8.3A
Сопротивление открытого канала: 1.38 Ом
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 162нКл
Входная емкость: 3500пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW11NK90Z
Транзистор полевой N-канальный 900В 9.2A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 980 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 115нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW11NM80
Транзистор полевой N-канальный 800В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Тип транзистора: N-канал
STW12N120K5
Транзистор полевой N-канальный 1200В, 12А 3-Pin(3+Tab) TO-247
Производитель: ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Тип транзистора: N-канал
STW12NK95Z
Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 10 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 113нКл
Входная емкость: 3500пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW13N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
STW13NK100Z
Транзистор полевой N-канальный 1KВ 13А 350Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 700 мОм
Мощность макс.: 350Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 266нКл
Входная емкость: 6000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW13NK60Z
Транзистор полевой N-канальный 600В 13A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 92нКл
Входная емкость: 2030пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW15N80K5
Транзистор полевой N-канальный 800В 14A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 375 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW15N95K5
Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW15NK90Z
Транзистор полевой N-канальный 900В 15А 350Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 350Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 256нКл
Входная емкость: 6100пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW17N62K3
Полевой транзистор, N-канальный, 620 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
STW18NM60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 13A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 285 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1000пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.