- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Texas Instruments
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
CSD17506Q5A
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 1650пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17522Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-Pin SON EP лента на катушке
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
CSD17552Q3A
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 2.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 2050пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17552Q5A
Транзистор полевой N-канальный 30В 17A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: 8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 2050пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17559Q5
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 1.15 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 9200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17571Q2
Полевой транзистор N-канальный 30В 22A 6SON
Производитель: Texas Instruments
Корпус: 6-SON (2x2)
CSD17577Q3AT
Полевой транзистор N-канальный 30В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке
Производитель: Texas Instruments
Корпус: 8-VSONP (3x3.15)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 35A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 250 µA
Заряд затвора: 35нКл @ 10В
Входная емкость: 2310пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17579Q3A
Транзистор полевой N-канальный 30В 35A QFN
Производитель: Texas Instruments
Корпус: 8-VSONP (3x3.15)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 20A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 10.2 мОм @ 8А, 10В
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В @ 250 µA
Заряд затвора: 15нКл @ 10В
Входная емкость: 998пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17585F5
Полевой транзистор N-канальный 30В 5.9A 3-Pin PicoStar лента на катушке
Производитель: Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5.9A
Тип транзистора: N-канал
CSD18501Q5A
Транзистор полевой N-канальный 40В
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 3840пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18503Q5A
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 2640пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18504KCS
Транзистор полевой N-канальный 40В
Производитель: Texas Instruments
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 53A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 93Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Through Hole
CSD18504Q5A
Транзистор полевой N-канальный 40В
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 1656пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18504Q5AT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A 77Вт
Производитель: Texas Instruments
CSD18509Q5B
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Производитель: Texas Instruments
CSD18509Q5BT
Полевой транзистор N-канальный 40В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель: Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 195нКл
Входная емкость: 13900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18531Q5A
Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSONP EP лента на катушке
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 19A(Ta),100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В @ 250 µA
Заряд затвора: 43нКл @ 10В
Входная емкость: 3840пФ @ 30В
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18532KCS
Полевой транзистор N-канальный 60В 100A TO220-3
Производитель: Texas Instruments
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 216Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA
Заряд затвора: 53нКл @ 10В
Входная емкость: 4680пФ @ 30В
Тип монтажа: Through Hole
CSD18533Q5A
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 17 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 2750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18534Q5AT
Транзистор полевой N-канальный 60В
Производитель: Texas Instruments
Корпус: 8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1770пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара