- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (875)
SIS410DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 35 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 1600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS412DN-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 30В 12А 15.6Вт
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 15.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 435пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS434DN-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 40В 35A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1530пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS438DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
Мощность макс.: 27.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 880пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS443DN-T1-GE3
Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 35 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 11.7 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 135нКл
Входная емкость: 4370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS468DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 780пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS476DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 77нКл
Входная емкость: 3595пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS862DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.6В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 1320пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS890DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 30 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 23.5 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 802пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS892ADN-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 100В 28A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 33 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 19.5нКл
Входная емкость: 550пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SISA04DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 2.15 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 77нКл
Входная емкость: 3595пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
![]()
SISA12ADN-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 30В 25A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 25A
Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм
Мощность макс.: 28Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 2070пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SISA12ADN-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 30В 25A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 25A
Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм
Мощность макс.: 28Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 2070пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
![]()
SIZ980DT-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A/60А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual
SIZ980DT-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A/60А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual
SQ1922EEH-T1_GE3
Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
Производитель: Vishay
Корпус: SC-70
SQ2308CES-T1_GE3
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A Aвтомобильного применения
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 5.3нКл
Входная емкость: 205пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
![]()
SQ2310ES-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 20В 6A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-236
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 8.5нКл
Входная емкость: 485пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SQ2310ES-T1-GE3
Транзистор полевой N-канальный 20В 6A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-236
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 8.5нКл
Входная емкость: 485пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SQ2351ES-T1_GE3
Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.2A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
SQ2361ES-T1_GE3
Полевой транзистор P-канальный 60В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236 лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.8A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
SQ2364EES-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В SOT-23
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
SQ2389ES-T1_GE3
Полевой транзистор P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 4.1A
Сопротивление открытого канала: 94 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 420пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара