Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (875)
SQ3418AEEV-T1_GE3 Полевой транзистор N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount
SQ3469EV-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 20В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1020пФ Тип монтажа: Surface Mount
SQD50N05-11L-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 2106пФ Тип монтажа: Surface Mount
SQD50P08-25L_GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 80 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: TO-252-3
SQJ457EP-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 36A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO лента на катушке Производитель: Vishay
SQJ963EP-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 60В 8A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK SO лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive
SQS401EN-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 16A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK 1212 лента на катушке Производитель: Vishay
SUD08P06-155L-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 8.4A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка SUD09P10-195-GE3 Транзистор полевой P-канальный 100В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 195 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 34.8нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD15N15-95-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 15A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD19N20-90-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 18.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD19P06-60-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 18.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD23N06-31-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 21.4 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21.4A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 31.25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD25N15-52-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 25A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1725пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD35N10-26P-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: D-Pak (TO-252AA)
SUD40N08-16-E3 Транзистор полевой N-канальный 80В 40A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD45P03-09-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 45 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA
SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 90A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50N04-8M8P-4GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 14A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 48.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: