8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки MOSFET транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Показывать: 
по:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Особенности

Максимальное напряжение сток-исток

Маскимальный ток стока

Сопротивление открытого канала

Пороговое напряжение включения макс.

Максимальная рассеиваемая мощность

Заряд затвора

Входная емкость

Тип монтажа


123456>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
КупитьТип транзистораОсобенностиМаксимальное напряжение сток-истокМаскимальный ток стокаСопротивление открытого каналаПороговое напряжение включения макс.Максимальная рассеиваемая мощностьЗаряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цены, руб. Всего Розн. маг. Всего Мин. цена Мин. кол.
для заказа
2N7002BKS,115 2N7002BKS,115  NEX TSSOP6
1:
6.75

500:
4.82

3000:
4.05
521 10   68823 3.82 руб. 1019 3000 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
2 N-Channel (Dual)Logic Level Gate60V300mA1.6 Ohm @ 500mA, 10V2.1V @ 250 µA295mW0.6nC @ 4.5V50pF @ 10VSurface Mount
2N7002BKV,115 - SOT-666 2N7002BKV,115  NEX SOT-666
1:
8.68

500:
6.20

4000:
5.21
11479 50   11955 4.95 руб. 788 4000 MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666, 0.525W
2 N-Channel (Dual)Logic Level Gate60V340mA1.6 Ohm @ 500mA, 10V2.1V @ 250 µA350mW0.6nC @ 4.5V50pF @ 10VSurface Mount
2N7002DW 2N7002DW  FSC SC70-6
1:
4.91

500:
4.55

3000:
4.21
3000 -   222000 3.73 руб. 3000 3000 MOSFET 2N-CH 60V 115MA SC70-6
2 N-Channel (Dual)Logic Level Gate60V115mA7.5 Ohm @ 50mA, 5V2V @ 250 µA200mW50pF @ 25VSurface Mount
2N7002DW_R1_00001 2N7002DW_R1_00001   PANJIT   - - -   99000 2.55 руб. 3000 3000  
2N7002PS,115 2N7002PS,115  NEX TSSOP6
1:
2.68

500:
2.49

3000:
2.30
2938 -   75000 2.37 руб. 6000 3000 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP 0.42W
2 N-Channel (Dual)Logic Level Gate60V320mA1.6 Ohm @ 500mA, 10V2.4V @ 250 µA420mW0.8nC @ 4.5V50pF @ 10VSurface Mount
2N7002PS,125 2N7002PS,125  NEX 6-TSSOP - - -   63000 2.28 руб. 6000 3000 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
2N7002V 2N7002V   FSC SOT-563F - - -   9000 5.81 руб. 3000 3000 MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563F
2 N-Channel (Dual)Logic Level Gate60V280mA7.5 Ohm @ 50mA, 5V2.5V @ 250 µA250mW50pF @ 25VSurface Mount
AO4600 AO4600   A&O SO8
1:
33.36

20:
25.02

100:
21.59
- -   100 26.92 руб. 12 3000 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 30В 6.9/5А 2Вт 0.027/0.049Ом
AO4606 AO4606   A&O SO8
1:
25.29

50:
18.97

200:
16.36
2210 2210   400 28.40 руб. 12 3000 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 35В -6/6.5А 2.5Вт
AO4612 AO4612   A&O SO8
1:
33.38

80:
25.04

400:
21.60
58 58   - - - 100 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 60В -3.2/4.5А 2Вт
N and P-ChannelLogic Level Gate60V4.5A, 3.2A56 mOhm @ 4.5A, 10V3V @ 250 µA2W10.5nC @ 10V540pF @ 30VSurface Mount
AO4614B AO4614B   A&O SO8
1:
27.82

100:
20.86

500:
18.00
467 90   - - - 100 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 40В 6/5А
N and P-ChannelLogic Level Gate40V6A, 5A30 mOhm @ 6A, 10V3V @ 250 µA2W10.8nC @ 10V650pF @ 20VSurface Mount
AO4620 AO4620   A&O SO8
1:
30.35

80:
22.76

240:
19.64
61 61   6000 9.45 руб. 3000 100 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 30В 7.2А/5.3А 2Вт
N and P-ChannelLogic Level Gate30V24 mOhm @ 7.2A, 10V2.6V @ 250 µA2W11nC @ 10V448pF @ 15VSurface Mount
AO4801 AO4801   A&O SO8
1:
30.35

20:
22.76

100:
19.64
101 101   - - - 100 сборка полевых транзисторов, 2xP-канал, 30В 5А 2Вт
AO4822A AO4822A   A&O SO8
1:
40.46

50:
30.35

150:
26.18
70 70   - - - 100 сборка полевых транзисторов, 2xN-канал, 30В 8А 2Вт
AO4828 AO4828   A&O SO8
1:
18.79

80:
12.22

240:
10.34
687 117   135060 10.51 руб. 8 3000 сборка полевых транзисторов, 2xN-канал, 60В 4.5А 2Вт
2 N-Channel (Dual)Logic Level Gate60V56 mOhm @ 4.5A, 10V3V @ 250 µA2W10.5nC @ 10V540pF @ 30VSurface Mount
AOD604 AOD604    A&O TO-252-5
1:
36.29

20:
27.22

100:
23.48
350 350   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 40В -8/8А 2.5Вт
N and P-ChannelLogic Level Gate40V8A33 mOhm @ 8A, 10V3V @ 250 µA1.6W, 1.7W9.2nC @ 10V404pF @ 20VSurface Mount
AOD606 AOD606   A&O TO-252-4L
1:
36.29

20:
27.22

100:
23.48
419 419   - - - 100 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 40В -8/8А 2.5Вт
N and P-Channel, Common DrainLogic Level Gate40V8A33 mOhm @ 8A, 10V3V @ 250 µA1.6W, 1.7W9.2nC @ 10V404pF @ 20VSurface Mount
AOD607 AOD607   A&O TO-252-4L
1:
36.29

80:
27.22

320:
23.48
78 78   - - - 100 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 30В -12/12А 4.2Вт
AOD608 AOD608   A&O TO-252-4L
1:
44.99

20:
37.49

100:
32.99
50 50   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 40В -10/10А 2.5Вт
AOD609 AOD609   A&O TO-252-4L
1:
40.46

50:
30.35

200:
26.18
54 7   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 40В -12/12А 2.5Вт
N and P-Channel, Common DrainLogic Level Gate40V12A30 mOhm @ 12A, 10V3V @ 250 µA2W10.8nC @ 10V650pF @ 20VSurface Mount
AON7246 AON7246   A&O 8-DFN (3x3) - - -   65000 12.98 руб. 5000 5000 MOSFET N-CH 60V 10A 8DFN
AOP605 AOP605   A&O DIP8
1:
42.26

20:
31.70

100:
27.35
675 675   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 30В -6.6/7.5А 2.5Вт
N and P-ChannelLogic Level Gate30V28 mOhm @ 7.5A, 10V3V @ 250 µA2.5W16.6nC @ 4.5V820pF @ 15VThrough Hole
AOP609 AOP609   A&O DIP8
1:
40.46

10:
30.35

50:
26.18
95 95   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 60В -3.5/4.7А 2.5Вт
N and P-ChannelLogic Level Gate60V60 mOhm @ 4.7A, 10V3V @ 250 µA2.5W7nC @ 10V570pF @ 30VThrough Hole
AOP610 AOP610   A&O DIP8
1:
44.63

20:
37.19

100:
32.73
158 158   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 30В 7.7/-6.2А 2.3Вт
N and P-ChannelLogic Level Gate30V24 mOhm @ 7.7A, 10V3V @ 250 µA2.3W15nC @ 10V630pF @ 15VThrough Hole

123456>>>

сообщение об ошибке