8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки MOSFET транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Показывать: 
по:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Особенности

Максимальное напряжение сток-исток

Маскимальный ток стока

Сопротивление открытого канала

Пороговое напряжение включения макс.

Максимальная рассеиваемая мощность

Заряд затвора

Входная емкость

Тип монтажа


123456>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
КупитьТип транзистораОсобенностиМаксимальное напряжение сток-истокМаскимальный ток стокаСопротивление открытого каналаПороговое напряжение включения макс.Максимальная рассеиваемая мощностьЗаряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цены, руб. Всего Розн. маг. Всего Мин. цена Мин. кол.
для заказа
2N7002BKS,115 2N7002BKS,115  NEX SOT-363
1:
6.75

500:
4.82

3000:
4.05
420 8   3659 3.75 руб. 882 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.3 А
2N-канальныйЛогическое управление60 В300 мА1.6 Ом2.1 В295 мВт0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115  NEX SOT-666
1:
8.54

400:
6.10

2000:
5.12
9959 50   15990 4.65 руб. 712 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.34 А, 0.525 Вт
2N-канальныйЛогическое управление60 В340 мА1.6 Ом2.1 В350 мВт0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002DW 2N7002DW  ONS SOT-363
1:
4.91

500:
4.55

3000:
4.21
2920 29   252000 3.10 руб. 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 115 мА
2N-канальныйЛогическое управление60 В115 мА7.5 Ом2 В200 мВт50 пФПоверхностный
2N7002DW_R1_00001 2N7002DW_R1_00001   PANJIT   - - -   84000 2.62 руб. 3000 3000  
2N7002PS,115 2N7002PS,115  NEX SOT-363
1:
2.94

500:
2.73

3000:
2.52
2893 25   - - - 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А, 0.42 Вт
2N-канальныйЛогическое управление60 В320 мА1.6 Ом2.4 В420 мВт0.8 нКл50 пФПоверхностный
2N7002V 2N7002V   ONS SOT-563F - - -   18000 5.90 руб. 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 280 мА
2N-канальныйЛогическое управление60 В280 мА7.5 Ом2.5 В250 мВт50 пФПоверхностный
AO4600 AO4600   A&O SOIC-8
1:
33.08

20:
24.81

100:
21.41
- -   300 26.73 руб. 12 3000 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 30 В, 6.9 А/5 А, 2 Вт
AO4606 AO4606   A&O SOIC-8
1:
25.08

50:
18.81

200:
16.23
1914 1914   100 28.20 руб. 12 3000 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6 А/6.5 А, 2.5 Вт
AO4612 AO4612   A&O SOIC-8
1:
33.10

100:
24.83

500:
21.42
25 25   - - - 100 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 60 В, -3.2 А/4.5 А, 2 Вт
N/P-канальныйЛогическое управление60 В4.5 А, 3.2 А56 мОм3 В2 Вт10.5 нКл540 пФПоверхностный
AO4614B AO4614B   A&O SOIC-8
1:
27.58

100:
20.69

500:
17.85
150 54   6000 10.81 руб. 3000 100 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, 6 А/5 А
N/P-канальныйЛогическое управление40 В6 А, 5 А30 мОм3 В2 Вт10.8 нКл650 пФПоверхностный
AO4620 AO4620   A&O SOIC-8
1:
25.08

100:
18.81

500:
16.23
498 48   6000 9.61 руб. 3000 100 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 30 В, 7.2 А/5.3 А, 2 Вт
N/P-канальныйЛогическое управление30 В24 мОм2.6 В2 Вт11 нКл448 пФПоверхностный
AO4801A AO4801A   A&O SOIC-8
1:
30.09

20:
22.57

100:
19.47
92 92   - - - 100 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 5 А, 2 Вт
AO4822A AO4822A   A&O SOIC-8
1:
40.12

100:
30.09

400:
25.96
55 55   - - - 100 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А, 2 Вт
AO4828 AO4828   A&O SOIC-8
1:
18.63

150:
12.11

1500:
10.25
543 78   105010 10.68 руб. 8 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 4.5 А, 2 Вт
2N-канальныйЛогическое управление60 В56 мОм3 В2 Вт10.5 нКл540 пФПоверхностный
AOD604 AOD604   A&O TO-252-5
1:
35.99

20:
26.99

100:
23.29
345 345   - - - 50 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -8 А/8 А, 2.5 Вт
N/P-канальныйЛогическое управление40 В8 А33 мОм3 В1.6 Вт, 1.7 Вт9.2 нКл404 пФПоверхностный
AOD606 AOD606   A&O TO-252-4L
1:
35.99

20:
26.99

100:
23.29
380 380   - - - 100 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -8 А/8 А, 2.5 Вт
N/P-канальныйЛогическое управление40 В8 А33 мОм3 В1.6 Вт, 1.7 Вт9.2 нКл404 пФПоверхностный
AOD607 AOD607   A&O TO-252-4L
1:
35.99

100:
26.99

400:
23.29
78 78   - - - 100 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 30 В, -12 А/12 А, 4.2 Вт
AOD608 AOD608   A&O TO-252-4L
1:
44.61

20:
37.18

100:
32.72
50 50   - - - 50 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -10 А/10 А, 2.5 Вт
AOD609 AOD609   A&O TO-252-4L
1:
40.12

50:
30.09

300:
25.96
52 52   - - - 50 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -12 А/12 А, 2.5 Вт
N/P-канальныйЛогическое управление40 В12 А30 мОм3 В2 Вт10.8 нКл650 пФПоверхностный
AOP605 AOP605   A&O DIP-8
1:
41.91

20:
31.43

100:
27.12
466 466   - - - 50 Сборка из полевых транзисторо В, N+P-канальный, 30 В, -6.6 А/7.5 А, 2.5 Вт
N/P-канальныйЛогическое управление30 В28 мОм3 В2.5 Вт16.6 нКл820 пФСквозной
AOP609 AOP609   A&O DIP-8
1:
40.12

10:
30.09

50:
25.96
90 90   - - - 50 Сборка из полевых транзисторо В, N+P-канальный, 60 В, -3.5 А/4.7 А, 2.5 Вт
N/P-канальныйЛогическое управление60 В60 мОм3 В2.5 Вт7 нКл570 пФСквозной
AOP610 AOP610   A&O DIP-8
1:
44.25

20:
36.88

100:
32.45
158 158   - - - 50 Сборка из полевых транзисторо В, N+P-канальный, 30 В, 7.7 А/-6.2 А, 2.3 Вт
N/P-канальныйЛогическое управление30 В24 мОм3 В2.3 Вт15 нКл630 пФСквозной
AP4511GD AP4511GD   APEC DIP-8
1:
48.68

20:
40.56

80:
35.70
189 189   - - - 40 Сборка из полевых транзисторо В, N+P-канальный, 40 В, -5 А/6 А, 2 Вт
AP4511GED AP4511GED   APEC DIP-8
1:
53.10

20:
44.25

80:
38.94
181 181   - - - 40 Сборка из полевых транзисторо В, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт

123456>>>

сообщение об ошибке