8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки MOSFET транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Показывать: 
по:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Особенности

Максимальное напряжение сток-исток

Маскимальный ток стока

Сопротивление открытого канала

Пороговое напряжение включения макс.

Максимальная рассеиваемая мощность

Заряд затвора

Входная емкость

Тип монтажа


123456>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
КупитьТип транзистораОсобенностиМаксимальное напряжение сток-истокМаскимальный ток стокаСопротивление открытого каналаПороговое напряжение включения макс.Максимальная рассеиваемая мощностьЗаряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цены, руб. Всего Розн. маг. Всего Мин. цена Мин. кол.
для заказа
2N7002BKS,115 2N7002BKS,115  NEX SOT-363
1:
6.61

500:
4.72

3000:
3.96
519 8   2723 3.84 руб. 831 3000 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
2N-канальныйЛогическое управление60 В300 мА1.6 Ом2.1 В295 мВт0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115  NEX SOT-666
1:
8.50

500:
6.07

4000:
5.10
11479 50   88955 4.56 руб. 700 4000 MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666, 0.525W
2N-канальныйЛогическое управление60 В340 мА1.6 Ом2.1 В350 мВт0.6 нКл50 пФПоверхностный
2N7002DW 2N7002DW  FSC SOT-363
1:
4.80

500:
4.45

3000:
4.12
2950 30   396000 3.03 руб. 3000 3000 MOSFET 2N-CH 60V 115MA SC70-6
2N-канальныйЛогическое управление60 В115 мА7.5 Ом2 В200 мВт50 пФПоверхностный
2N7002DWH6327 2N7002DWH6327   INF   - - -   6000 2.48 руб. 3000 3000  
2N7002DW_R1_00001 2N7002DW_R1_00001   PANJIT   - - -   39000 2.54 руб. 3000 3000  
2N7002PS,115 2N7002PS,115  NEX SOT-363
1:
2.88

500:
2.67

3000:
2.47
2938 30   - - - 3000 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP 0.42W
2N-канальныйЛогическое управление60 В320 мА1.6 Ом2.4 В420 мВт0.8 нКл50 пФПоверхностный
AO4600 AO4600   A&O SOIC-8
1:
32.24

20:
24.18

100:
20.86
- -   300 26.92 руб. 12 3000 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 30В 6.9/5А 2Вт 0.027/0.049Ом
AO4606 AO4606   A&O SOIC-8
1:
24.44

50:
18.33

200:
15.81
1938 1938   200 28.40 руб. 12 3000 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 35В -6/6.5А 2.5Вт
AO4612 AO4612   A&O SOIC-8
1:
32.26

100:
24.20

500:
20.87
45 45   - - - 100 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 60В -3.2/4.5А 2Вт
N/P-канальныйЛогическое управление60 В4.5 А, 3.2 А56 мОм3 В2 Вт10.5 нКл540 пФПоверхностный
AO4614B AO4614B   A&O SOIC-8
1:
26.88

100:
20.16

500:
17.39
302 56   - - - 100 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 40В 6/5А
N/P-канальныйЛогическое управление40 В6 А, 5 А30 мОм3 В2 Вт10.8 нКл650 пФПоверхностный
AO4620 AO4620   A&O SOIC-8
1:
29.33

100:
21.99

500:
18.98
1 1 В пути 6000 9.41 руб. 3000 100 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 30В 7.2А/5.3А 2Вт
N/P-канальныйЛогическое управление30 В24 мОм2.6 В2 Вт11 нКл448 пФПоверхностный
AO4801 AO4801   A&O SOIC-8
1:
29.33

20:
21.99

100:
18.98
97 97   - - - 100 сборка полевых транзисторов, 2xP-канал, 30В 5А 2Вт
AO4822A AO4822A   A&O SOIC-8
1:
39.10

100:
29.33

400:
25.30
67 67   - - - 100 сборка полевых транзисторов, 2xN-канал, 30В 8А 2Вт
AO4828 AO4828   A&O SOIC-8
1:
18.16

150:
11.80

1500:
9.99
624 111   123010 10.46 руб. 8 3000 сборка полевых транзисторов, 2xN-канал, 60В 4.5А 2Вт
2N-канальныйЛогическое управление60 В56 мОм3 В2 Вт10.5 нКл540 пФПоверхностный
AOD604 AOD604   A&O TO-252-5
1:
35.07

20:
26.30

100:
22.69
345 345   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 40В -8/8А 2.5Вт
N/P-канальныйЛогическое управление40 В8 А33 мОм3 В1.6 Вт, 1.7 Вт9.2 нКл404 пФПоверхностный
AOD606 AOD606   A&O TO-252-4L
1:
35.07

20:
26.30

100:
22.69
394 394   - - - 100 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 40В -8/8А 2.5Вт
N/P-канальныйЛогическое управление40 В8 А33 мОм3 В1.6 Вт, 1.7 Вт9.2 нКл404 пФПоверхностный
AOD607 AOD607   A&O TO-252-4L
1:
35.07

100:
26.30

400:
22.69
78 78   - - - 100 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 30В -12/12А 4.2Вт
AOD608 AOD608   A&O TO-252-4L
1:
43.48

20:
36.23

100:
31.88
50 50   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 40В -10/10А 2.5Вт
AOD609 AOD609   A&O TO-252-4L
1:
39.10

50:
29.33

300:
25.30
52 5   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 40В -12/12А 2.5Вт
N/P-канальныйЛогическое управление40 В12 А30 мОм3 В2 Вт10.8 нКл650 пФПоверхностный
AON7246 AON7246   A&O 8-DFN (3x3) - - -   30000 12.92 руб. 5000 5000 MOSFET N-CH 60V 10A 8DFN
AOP605 AOP605   A&O DIP-8
1:
40.84

20:
30.63

100:
26.43
673 673   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 30В -6.6/7.5А 2.5Вт
N/P-канальныйЛогическое управление30 В28 мОм3 В2.5 Вт16.6 нКл820 пФСквозной
AOP609 AOP609   A&O DIP-8
1:
39.10

10:
29.33

50:
25.30
94 94   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 60В -3.5/4.7А 2.5Вт
N/P-канальныйЛогическое управление60 В60 мОм3 В2.5 Вт7 нКл570 пФСквозной
AOP610 AOP610   A&O DIP-8
1:
43.13

20:
35.94

100:
31.63
158 158   - - - 50 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 30В 7.7/-6.2А 2.3Вт
N/P-канальныйЛогическое управление30 В24 мОм3 В2.3 Вт15 нКл630 пФСквозной
AP4511GED AP4511GED   APEC DIP-8
1:
51.75

20:
43.13

80:
37.95
187 187   - - - 40 сборка полевых транзисторов, N+P-канал, 35В -6.1/7А 2Вт

123456>>>

сообщение об ошибке