8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки MOSFET транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:


123>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиМаксимальное напряжение сток-истокМаскимальный ток стокаСопротивление открытого каналаПороговое напряжение включения макс.Максимальная рассеиваемая мощностьЗаряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR   INF 8-SOIC - - -   от 51.03 руб. 4000 4000 4000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 55 В, 4.7 А/3.4 АN/P-канальныйЛогическое управление55 В4.7 А, 3.4 А50 мОм1 В2 Вт36 нКл740 пФПоверхностный
DMC2004VK-7 DMC2004VK-7   DIODES SOT-563 - - -   от 9.14 руб. 21000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 ВN/P-канальныйЛогическое управление20 В670 мА, 530 мА550 мОм1 В450 мВт150 пФПоверхностный
DMC2038LVT-7 DMC2038LVT-7   DIODES SOT-23-6 от 6.50 руб - -   от 4.48 руб. 279000 6000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 ВN/P-канальныйЛогическое управление20 В3.7 А, 2.6 А35 мОм1 В800 мВт17 нКл530 пФПоверхностный
DMC2700UDM-7 DMC2700UDM-7   DIODES SOT-26 - - -   от 3.85 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 ВN/P-канальныйЛогическое управление20 В1.34 А, 1.14 А400 мОм1 В1.12 Вт0.74 нКл60.67 пФПоверхностный
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7   DIODES SC-70-6 - - -   от 3.92 руб. 132000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 ВN/P-канальныйЛогическое управление20 В1.07 А, 845 мА450 мОм1 В330 мВт0.74 нКл60.67 пФПоверхностный
DMG1023UV-7 DMG1023UV-7   DIODES SOT-563 - - -   от 6.36 руб. 399000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.03 А2P-канальныйЛогическое управление20 В1.03 А750 мОм1 В530 мВт0.62 нКл59.76 пФПоверхностный
DMN2990UDJ-7 DMN2990UDJ-7   DIODES SOT-963 - - -   от 5.58 руб. 10000 10000 10000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 450 мА2N-канальныйЛогическое управление20 В450 мА990 мОм1 В350 мВт0.5 нКл27.6 пФПоверхностный
FDMA1024NZ FDMA1024NZ   ONS 6-MicroFET (2x2) - - -   от 22.40 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5 А2N-канальныйЛогическое управление20 В5 А54 мОм1 В700 мВт7.3 нКл500 пФПоверхностный
FDMA3023PZ FDMA3023PZ   ONS 6-MicroFET (2x2) от 16.97 руб 2990 -   - - - 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.9 А, 1.4 Вт2P-канальныйЛогическое управление30 В2.9 А90 мОм1 В700 мВт11 нКл530 пФПоверхностный
FDME1023PZT FDME1023PZT   ONS 6-MicroFET (1.6x1.6) - - -   от 17.01 руб. 5000 5000 5000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.6 А2P-канальныйЛогическое управление20 В2.6 А142 мОм1 В600 мВт7.7 нКл405 пФПоверхностный
FDS8928A FDS8928A  ONS 8-SOIC - - -   от 28.88 руб. 2500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/20 ВN/P-канальныйЛогическое управление30 В, 20 В5.5 А, 4 А30 мОм1 В900 мВт28 нКл900 пФПоверхностный
FDY1002PZ FDY1002PZ   ONS SC-89-3 - - -   от 8.42 руб. 15000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 0.83 А2P-канальныйЛогическое управление20 В830 мА500 мОм1 В446 мВт3.1 нКл135 пФПоверхностный
IRF7303PBF IRF7303PBF  INF 8-SOIC от 16.55 руб 4547 123   от 15.05 руб. 21396 18 95 Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2 Вт, 0.05 Ом2N-канальныйСтандартный30 В4.9 А50 мОм1 В2 Вт25 нКл520 пФПоверхностный
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF  INF 8-SOIC - - -   от 17.05 руб. 14221 190 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А2N-канальныйСтандартный30 В4.9 А50 мОм1 В2 Вт25 нКл520 пФПоверхностный
IRF7306PBF IRF7306PBF  INF 8-SOIC от 20.75 руб 158 73   от 17.75 руб. 12008 247 95 Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 30 В, 3.6 А, 2 Вт, 0.1 Ом2P-канальныйЛогическое управление30 В3.6 А100 мОм1 В2 Вт25 нКл440 пФПоверхностный
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF  INF 8-SOIC от 22.77 руб 1042 42   от 20.56 руб. 47071 158 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 3.6 А2P-канальныйЛогическое управление30 В3.6 А100 мОм1 В2 Вт25 нКл440 пФПоверхностный
IRF7309PBF IRF7309PBF  INF 8-SOIC от 20.67 руб 337 -   от 18.56 руб. 5150 22 95 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А,/-3 А, 1.4WN/P-канальныйСтандартный30 В4 А, 3 А50 мОм1 В1.4 Вт25 нКл520 пФПоверхностный
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF  INF 8-SOIC от 18.51 руб 3850 182   от 16.03 руб. 66721 155 4000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А/3 А, 1.4 Вт, 0.05 Ом/ 0.1 ОмN/P-канальныйСтандартный30 В4 А, 3 А50 мОм1 В1.4 Вт25 нКл520 пФПоверхностный
IRF7313PBF IRF7313PBF  INF 8-SOIC от 20.94 руб 6507 -   от 22.23 руб. 5506 15 95 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.5 А, 2W2N-канальныйСтандартный30 В6.5 А29 мОм1 В2 Вт33 нКл650 пФПоверхностный
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF  INF 8-SOIC от 19.06 руб 8816 191 В пути от 16.87 руб. 58490 184 4000 Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 6.5 А, 2 Вт, 0.029 Ом2N-канальныйСтандартный30 В6.5 А29 мОм1 В2 Вт33 нКл650 пФПоверхностный
IRF7316PBF IRF7316PBF  INF 8-SOIC от 20.46 руб 443 83 В пути от 24.54 руб. 666 14 95 Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2 Вт, 0.058 Ом2P-канальныйЛогическое управление30 В4.9 А58 мОм1 В2 Вт34 нКл710 пФПоверхностный
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF  INF 8-SOIC от 21.34 руб 2681 -   от 18.13 руб. 111732 101 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А2P-канальныйЛогическое управление30 В4.9 А58 мОм1 В2 Вт34 нКл710 пФПоверхностный
IRF7319PBF IRF7319PBF  INF 8-SOIC от 25.91 руб 988 107   от 25.61 руб. 5579 13 95 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 2 ВтN/P-канальныйСтандартный30 В29 мОм1 В2 Вт33 нКл650 пФПоверхностный
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF  INF 8-SOIC от 22.57 руб 526 134   от 19.62 руб. 22311 88 4000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 6.5 А/4.9 А, 2 Вт, 0.029 Ом/0.058 ОмN/P-канальныйЛогическое управление30 В29 мОм1 В2 Вт33 нКл650 пФПоверхностный

123>>>

сообщение об ошибке