8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки MOSFET транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:


  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиМаксимальное напряжение сток-истокМаскимальный ток стокаСопротивление открытого каналаПороговое напряжение включения макс.Максимальная рассеиваемая мощностьЗаряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
AO4620 AO4620   A&O 8-SOIC от 14.78 руб 54 54   - - - 100 Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 30 В, 7.2 А/5.3 А, 2 ВтN/P-канальныйЛогическое управление30 В24 мОм2.6 В2 Вт11 нКл448 пФПоверхностный
FDMA3023PZ FDMA3023PZ   ONS 6-MicroFET (2x2) от 16.97 руб 2990 -   - - - 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.9 А, 1.4 Вт2P-канальныйЛогическое управление30 В2.9 А90 мОм1 В700 мВт11 нКл530 пФПоверхностный
FDS8949 FDS8949  ONS 8-SOIC - - -   от 15.59 руб. 240000 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 6 А2N-канальныйЛогическое управление40 В6 А29 мОм3 В2 Вт11 нКл955 пФПоверхностный
IRF7904PBF IRF7904PBF   INF 8-SOIC - - -   от 35.25 руб. 200 12 95 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.6 А/11 А2N-канальныйЛогическое управление30 В7.6 А, 11 А16.2 мОм2.25 В1.4 Вт, 2 Вт11 нКл910 пФПоверхностный
IRL6372PBF IRL6372PBF   INF 8-SOIC - - -   - - - 95 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8.1 А2N-канальныйЛогическое управление30 В8.1 А17.9 мОм1.1 В2 Вт11 нКл1020 пФПоверхностный
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3   VISHAY 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 12.90 руб. 9000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4 А2P-канальныйСтандартный20 В4 А100 мОм1 В3.1 Вт11 нКл455 пФПоверхностный
сообщение об ошибке