8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки MOSFET транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:


<<<56789101112131415>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиМаксимальное напряжение сток-истокМаскимальный ток стокаСопротивление открытого каналаПороговое напряжение включения макс.Максимальная рассеиваемая мощностьЗаряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF   INF Micro8[тм] от 12.89 руб 308 9   от 11.55 руб. 19746 28 4000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 2.7 А/2 АN/P-канальныйЛогическое управление30 В2.7 А, 2 А110 мОм1 В1.25 Вт12 нКл210 пФПоверхностный
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF   INF Micro8[тм] от 25.96 руб 214 -   от 25.91 руб. 4003 126 4000 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
IRF7904PBF IRF7904PBF   INF 8-SOIC - - -   от 35.08 руб. 200 13 95 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.6 А/11 А2N-канальныйЛогическое управление30 В7.6 А, 11 А16.2 мОм2.25 В1.4 Вт, 2 Вт11 нКл910 пФПоверхностный
IRF7905TRPBF IRF7905TRPBF   INF 8-SOIC - - -   - - - 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.8 А/8.9 А2N-канальныйЛогическое управление30 В7.8 А, 8.9 А21.8 мОм2.25 В2 Вт6.9 нКл600 пФПоверхностный
IRF8313PBF IRF8313PBF   INF 8-SOIC от 27.67 руб 671 115   от 35.32 руб. 700 12 95 Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W2N-канальныйЛогическое управление30 В9.7 А15.5 мОм2.35 В2 Вт90 нКл760 пФПоверхностный
IRF8313TRPBF IRF8313TRPBF   INF 8-SOIC от 17.00 руб - -   от 14.13 руб. 13826 231 300 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 9.7 А2N-канальныйЛогическое управление30 В9.7 А15.5 мОм2.35 В2 Вт9 нКл760 пФПоверхностный
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF   INF 8-SOIC от 17.57 руб - -   - - - 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 10 А
IRF9358PBF IRF9358PBF   INF 8-SOIC от 26.48 руб 186 31   от 26.55 руб. 10078 11 95 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 9.2 А, 2 Вт2P-канальныйЛогическое управление30 В9.2 А16.3 мОм2.4 В2 Вт38 нКл1740 пФПоверхностный
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF   INF 8-SOIC - - -   - - - 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 9.2 А2P-канальныйЛогическое управление30 В9.2 А16.3 мОм2.4 В2 Вт38 нКл1740 пФПоверхностный
IRF9362PBF IRF9362PBF   INF 8-SOIC от 44.87 руб 35 -   от 47.54 руб. 60 10 95 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 8 А, 2 Вт2P-канальныйЛогическое управление30 В8 А21 мОм2.4 В2 Вт39 нКл1300 пФПоверхностный
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF   INF 8-SOIC от 35.99 руб 200 -   от 16.87 руб. 8933 135 1 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF   INF 8-SOIC от 10.78 руб 305 54   от 11.10 руб. 6235 28 4000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 6.8 А/4.6 А
IRF9952PBF IRF9952PBF   INF 8-SOIC от 15.86 руб 115 55   от 18.30 руб. 233 25 95 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 ВN/P-канальныйЛогическое управление30 В3.5 А, 2.3 А100 мОм1 В2 Вт14 нКл190 пФПоверхностный
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF   INF 8-SOIC от 15.58 руб 500 -   от 14.08 руб. 9838 236 4000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 ВN/P-канальныйЛогическое управление30 В3.5 А, 2.3 А100 мОм1 В2 Вт14 нКл190 пФПоверхностный
IRF9953PBF IRF9953PBF   INF 8-SOIC от 13.53 руб 145 -   - - - 95 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А2P-канальныйСтандартный30 В2.3 А250 мОм1 В2 Вт12 нКл190 пФПоверхностный
IRF9953TRPBF IRF9953TRPBF   INF 8-SOIC от 13.74 руб 635 65   от 14.21 руб. 4000 4000 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.3 А2P-канальныйСтандартный30 В2.3 А250 мОм1 В2 Вт12 нКл190 пФПоверхностный
IRF9956PBF IRF9956PBF   INF 8-SOIC - - -   от 15.28 руб. 2470 22 95 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.5 А2N-канальныйЛогическое управление30 В3.5 А100 мОм1 В2 Вт14 нКл190 пФПоверхностный
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF   INF 8-SOIC от 17.03 руб 528 -   - - - 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.5 А2N-канальныйЛогическое управление30 В3.5 А100 мОм1 В2 Вт14 нКл190 пФПоверхностный
IRFI4019H-117P IRFI4019H-117P   INF TO-220-5 Full-Pak - - -   от 69.51 руб. 1890 30 50 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 150 В, 8.7 А2N-канальныйСтандартный150 В8.7 А95 мОм4.9 В18 Вт20 нКл810 пФСквозной
IRFI4020H-117P IRFI4020H-117P   INF TO-220-5 Full-Pak от 106.20 руб 50 -   от 94.52 руб. 3250 31 50 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 200 В, 9.1 А2N-канальныйСтандартный200 В9.1 А100 мОм4.9 В21 Вт29 нКл1240 пФСквозной
IRFI4212H-117P IRFI4212H-117P   INF TO-220-5 Full-Pak - - -   от 45.02 руб. 4189 50 50 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 11 А2N-канальныйСтандартный100 В11 А72.5 мОм5 В18 Вт18 нКл490 пФСквозной
IRL6372PBF IRL6372PBF   INF 8-SOIC - - -   - - - 95 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8.1 А2N-канальныйЛогическое управление30 В8.1 А17.9 мОм1.1 В2 Вт11 нКл1020 пФПоверхностный
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF   INF 8-SOIC - - -   от 21.79 руб. 322 157 4000 MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC2 N-Channel (Dual)Logic Level Gate30V8.1A17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V1.1V2W11nC @ 4.5V1020pF @ 25VSurface Mount
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF   INF 6-PQFN (2x2) - - -   от 11.55 руб. 8000 4000 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.5 А2N-канальныйЛогическое управление20 В4.5 А45 мОм1.1 В1.5 Вт3.1 нКл310 пФПоверхностный

<<<56789101112131415>>>

сообщение об ошибке