8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки MOSFET транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:


<<<678910111213141516>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиМаксимальное напряжение сток-истокМаскимальный ток стокаСопротивление открытого каналаПороговое напряжение включения макс.Максимальная рассеиваемая мощностьЗаряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
NDS9952A NDS9952A   ONS 8-SOIC - - -   от 25.33 руб. 7500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 ВN/P-канальныйЛогическое управление30 В3.7 А, 2.9 А80 мОм2.8 В900 мВт25 нКл320 пФПоверхностный
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G   ONS SOT-23-6 от 10.40 руб - -   от 8.82 руб. 54000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, P-канальный, 30 В, 2.6/1.9А 0.9Вт
NTHC5513T1G NTHC5513T1G   ONS 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 13.25 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 1206 АN/P-канальныйЛогическое управление20 В2.9 А, 2.2 А80 мОм1.2 В1.1 Вт4 нКл180 пФПоверхностный
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G   ONS 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 15.52 руб. 15000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 ВN/P-канальныйЛогическое управление20 В2.9 А, 3.2 А80 мОм1.2 В1.1 Вт2.3 нКл165 пФПоверхностный
NTHD3102CT1G NTHD3102CT1G   ONS 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 16.81 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А/3.1 АN/P-канальныйЛогическое управление20 В4 А, 3.1 А45 мОм1.2 В1.1 Вт7.9 нКл510 пФПоверхностный
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G   ONS 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 9.22 руб. 330000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.9 А2P-канальныйЛогическое управление20 В2.9 А80 мОм1.5 В1.1 Вт8.6 нКл750 пФПоверхностный
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G   ONS 1206-8 ChipFET[тм] от 12.82 руб - -   от 11.21 руб. 21000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А2N-канальныйЛогическое управление20 В3 А75 мОм1.2 В1.13 Вт4 нКл180 пФПоверхностный
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G   ONS SC-70-6 - - -   от 4.67 руб. 93000 6000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 8 В, 1.3 АN/P-канальныйСтандартный8 В1.3 А175 мОм1 В400 мВтПоверхностный
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G   ONS SC-70-6 от 7.48 руб 657 40   от 2.85 руб. 771000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 0.25 А2N-канальныйСтандартный30 В250 мА1.5 Ом1.5 В272 мВт1.3 нКл33 пФПоверхностный
NTJD4105CT1G NTJD4105CT1G   ONS SC-70-6 от 26.05 руб - -   от 4.53 руб. 780000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В/8 ВN/P-канальныйЛогическое управление20 В, 8 В630 мА, 775 мА375 мОм1.5 В270 мВт3 нКл46 пФПоверхностный
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G   ONS SC-70-6 - - -   от 5.12 руб. 18000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В/8 ВN/P-канальныйЛогическое управление20 В, 8 В630 мА, 775 мА375 мОм1.5 В270 мВт3 нКл46 пФПоверхностный
NTJD4152PT1G NTJD4152PT1G   ONS SC-70-6 - - -   от 5.32 руб. 78000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 880 мА2P-канальныйЛогическое управление20 В880 мА260 мОм450 мВ272 мВт2.2 нКл155 пФПоверхностный
NTJD4158CT1G NTJD4158CT1G   ONS SC-70-6 - - -   от 7.15 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/20 ВN/P-канальныйЛогическое управление30 В, 20 В250 мА, 880 мА1.5 Ом1.5 В270 мВт1.5 нКл33 пФПоверхностный
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G   ONS SC-70-6 - - -   от 3.61 руб. 759000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 630 мА2N-канальныйЛогическое управление20 В630 мА375 мОм1.5 В270 мВт3 нКл46 пФПоверхностный
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G   ONS SC-70-6 от 2.13 руб 5918 -   от 1.79 руб. 600000 6000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.295 А2N-канальныйЛогическое управление60 В295 мА1.6 Ом2.5 В250 мВт0.9 нКл26 пФПоверхностный
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG   ONS 6-SON (2x2) - - -   от 14.06 руб. 42000 3000 1 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 ВN/P-канальныйЛогическое управление20 В2.6 А, 2.3 А65 мОм1 В710 мВт3.7 нКл271 пФПоверхностный
NTLJD4116NT1G NTLJD4116NT1G   ONS 6-SON (2x2) - - -   от 15.53 руб. 6000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.5 А2N-канальныйЛогическое управление30 В2.5 А70 мОм1 В710 мВт6.5 нКл427 пФПоверхностный
NTLUD3A260PZTAG NTLUD3A260PZTAG   ONS 6-UDFN (1.6x1.6) - - -   от 11.14 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.3 А2P-канальныйЛогическое управление20 В1.3 А200 мОм1 В500 мВт4.2 нКл300 пФПоверхностный
NTMD4840NR2G NTMD4840NR2G   ONS 8-SOIC - - -   от 16.30 руб. 10000 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.5 А2N-канальныйЛогическое управление30 В4.5 А24 мОм3 В680 мВт9.5 нКл520 пФПоверхностный
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G   ONS 8-SOIC - - -   от 10.91 руб. 7500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4 А2N-канальныйЛогическое управление30 В4 А60 мОм3 В2 Вт16 нКл400 пФПоверхностный
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2G   ONS 8-SOIC - - -   от 18.33 руб. 2500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.92 А2N-канальныйЛогическое управление20 В3.92 А35 мОм1.2 В730 мВт20 нКл1100 пФПоверхностный
NTMD6N03R2G NTMD6N03R2G   ONS 8-SOIC - - -   от 19.03 руб. 2500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А2N-канальныйЛогическое управление30 В6 А32 мОм2.5 В1.29 Вт30 нКл950 пФПоверхностный
NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G   ONS 8-SOIC - - -   от 20.33 руб. 35000 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.8 А2P-канальныйЛогическое управление20 В4.8 А33 мОм1.2 В750 мВт35 нКл1700 пФПоверхностный
NTUD3169CZT5G NTUD3169CZT5G   ONS SOT-963 - - -   от 8.91 руб. 16000 8000 8000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 ВN/P-канальныйЛогическое управление20 В220 мА, 200 мА1.5 Ом1 В125 мВт12.5 пФПоверхностный

<<<678910111213141516>>>

сообщение об ошибке