8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки MOSFET транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:


<<<78910111213141516>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиМаксимальное напряжение сток-истокМаскимальный ток стокаСопротивление открытого каналаПороговое напряжение включения макс.Максимальная рассеиваемая мощностьЗаряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
NTLUD3A260PZTAG NTLUD3A260PZTAG   ONS 6-UDFN (1.6x1.6) - - -   от 11.14 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.3 А2P-канальныйЛогическое управление20 В1.3 А200 мОм1 В500 мВт4.2 нКл300 пФПоверхностный
NTMD4840NR2G NTMD4840NR2G   ONS 8-SOIC - - -   от 16.30 руб. 10000 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.5 А2N-канальныйЛогическое управление30 В4.5 А24 мОм3 В680 мВт9.5 нКл520 пФПоверхностный
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G   ONS 8-SOIC - - -   от 10.91 руб. 7500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4 А2N-канальныйЛогическое управление30 В4 А60 мОм3 В2 Вт16 нКл400 пФПоверхностный
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2G   ONS 8-SOIC - - -   от 18.33 руб. 2500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.92 А2N-канальныйЛогическое управление20 В3.92 А35 мОм1.2 В730 мВт20 нКл1100 пФПоверхностный
NTMD6N03R2G NTMD6N03R2G   ONS 8-SOIC - - -   от 19.03 руб. 2500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А2N-канальныйЛогическое управление30 В6 А32 мОм2.5 В1.29 Вт30 нКл950 пФПоверхностный
NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G   ONS 8-SOIC - - -   от 20.33 руб. 37500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.8 А2P-канальныйЛогическое управление20 В4.8 А33 мОм1.2 В750 мВт35 нКл1700 пФПоверхностный
NTUD3169CZT5G NTUD3169CZT5G   ONS SOT-963 - - -   от 8.91 руб. 16000 8000 8000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 ВN/P-канальныйЛогическое управление20 В220 мА, 200 мА1.5 Ом1 В125 мВт12.5 пФПоверхностный
NTUD3170NZT5G NTUD3170NZT5G   ONS SOT-963 - - -   от 9.41 руб. 8000 8000 8000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.22 А2N-канальныйЛогическое управление20 В220 мА1.5 Ом1 В125 мВт12.5 пФПоверхностный
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G   ONS SOT-563 - - -   от 4.76 руб. 1284000 4000 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 430 мА2P-канальныйЛогическое управление20 В430 мА900 мОм1 В250 мВт2.5 нКл175 пФПоверхностный
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G   ONS SOT-563 - - -   от 2.71 руб. 40000 8000 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 540 мА2N-канальныйЛогическое управление20 В540 мА550 мОм1 В250 мВт2.5 нКл150 пФПоверхностный
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G   ONS SOT-563 от 7.08 руб 1000 100   - - - 4000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 0.54 А/0.43 АN/P-канальныйЛогическое управление20 В540 мА, 430 мА550 мОм1 В250 мВт2.5 нКл150 пФПоверхностный
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G   ONS SOT-563 - - -   от 3.84 руб. 100000 4000 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.294 А2N-канальныйЛогическое управление60 В294 мА1.6 Ом2.5 В250 мВт0.7 нКл24.5 пФПоверхностный
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G   ONS SC-70-6 - - -   от 12.14 руб. 39000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.63 А2N-канальныйЛогическое управление20 В630 мА375 мОм1.5 В270 мВт3 нКл46 пФПоверхностный
NVMFD5873NLT1G NVMFD5873NLT1G   ONS 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) - - -   от 68.41 руб. 1500 1500 1500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 10 А2N-канальныйЛогическое управление60 В10 А13 мОм2.5 В3.1 Вт30.5 нКл1560 пФПоверхностный
NVMFD5877NLT1G NVMFD5877NLT1G   ONS 8-DFN (5x6) - - -   от 29.84 руб. 34500 1500 1500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 6 А2N-канальныйЛогическое управление60 В6 А39 мОм3 В3.2 Вт20 нКл540 пФПоверхностный
NVTJD4001NT1G NVTJD4001NT1G    ONS   - - -   от 5.67 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.25 А2N-канальныйЛогическое управление30 В
NX1029X,115 NX1029X,115   NEX SOT-666 - - -   от 4.61 руб. 8000 4000 4000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В/50 ВN/P-канальныйЛогическое управление60 В, 50 В330 мА, 170 мА7.5 Ом2.1 В500 мВт0.35 нКл36 пФПоверхностный
NX3008CBKS,115 NX3008CBKS,115   NEX SC-70-6 - - -   от 3.82 руб. 537000 6000 3000 MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP
NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115   NEX SOT-666 - - -   от 4.77 руб. 24000 4000 4000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 ВN/P-канальныйЛогическое управление30 В400 мА, 220 мА1.4 Ом1.1 В500 мВт0.68 нКл50 пФПоверхностный
NX3008NBKS,115 NX3008NBKS,115   NEX SC-70-6 - - -   от 4.93 руб. 30000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.35 А2N-канальныйЛогическое управление30 В350 мА1.4 Ом1.1 В445 мВт0.68 нКл50 пФПоверхностный
NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115   NEX SOT-666 - - -   от 4.12 руб. 40000 4000 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.4 А2N-канальныйЛогическое управление30 В400 мА1.4 Ом1.1 В500 мВт0.68 нКл50 пФПоверхностный
NX3008PBKV,115 NX3008PBKV,115   NEX SOT-666 - - -   от 4.53 руб. 140000 4000 4000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 0.22 А2P-канальныйЛогическое управление30 В220 мА4.1 Ом1.1 В500 мВт0.72 нКл46 пФПоверхностный
NX3020NAKS,115 NX3020NAKS,115   NEX SC-70-6 - - -   от 2.97 руб. 3063000 3000 3000 MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP2 N-Channel (Dual)Logic Level Gate30V180mA4.5 Ohm @ 100mA, 10V1.5V375mW0.44nC @ 4.5V48pF @ 10VSurface Mount
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115   NEX SOT-666 - - -   от 3.44 руб. 24000 4000 4000 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT6662 N-Channel (Dual)Logic Level Gate30V200mA4.5 Ohm @ 100mA, 10V1.5V375mW0.44nC @ 4.5V48pF @ 10VSurface Mount

<<<78910111213141516>>>

сообщение об ошибке