8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки MOSFET транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:

- Умный фильтр

<<<9101112131415>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиМаксимальное напряжение сток-истокМаскимальный ток стокаСопротивление открытого каналаПороговое напряжение включения макс.Максимальная рассеиваемая мощностьЗаряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
SI5513CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-E3   VISHAY 1206-8 ChipFET[тм] - - -   - - - 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 АN/P-канальныйЛогическое управление20 В4 А, 3.7 А55 мОм1.5 В3.1 Вт4.2 нКл285 пФПоверхностный
SI5513CDC-T1-GE3 SI5513CDC-T1-GE3   VISHAY 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 22.02 руб. 54000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 АN/P-канальныйЛогическое управление20 В4 А, 3.7 А55 мОм1.5 В3.1 Вт4.2 нКл285 пФПоверхностный
SI5908DC-T1-E3 SI5908DC-T1-E3   VISHAY 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 29.69 руб. 18000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.4 А2N-канальныйЛогическое управление20 В4.4 А40 мОм1 В1.1 Вт7.5 нКлПоверхностный
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3   VISHAY 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 16.48 руб. 42000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4 А2P-канальныйСтандартный20 В4 А100 мОм1 В3.1 Вт11 нКл455 пФПоверхностный
SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3   VISHAY 8-MSOP - - -   от 41.38 руб. 111000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 4.9 А2P-канальныйЛогическое управление12 В4.9 А21 мОм900 мВ830 мВт28 нКлПоверхностный
SI6954ADQ-T1-E3 SI6954ADQ-T1-E3   VISHAY 8-MSOP - - -   - - - 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.1 А2N-канальныйЛогическое управление30 В3.1 А53 мОм1 В830 мВт16 нКлПоверхностный
SI6954ADQ-T1-GE3 SI6954ADQ-T1-GE3   VISHAY 8-MSOP - - -   от 33.89 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.1 А2N-канальныйЛогическое управление30 В3.1 А53 мОм1 В830 мВт16 нКлПоверхностный
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3   VISHAY PowerPAKВ® 1212-8 Dual - - -   от 72.13 руб. 42000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 6 А2N-канальныйСтандартный40 В6 А32 мОм3 В20.8 Вт19 нКл670 пФПоверхностный
SI7220DN-T1-E3 SI7220DN-T1-E3   VISHAY PowerPAKВ® 1212-8 Dual - - -   от 59.22 руб. 27000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.4 А2N-канальныйЛогическое управление60 В3.4 А60 мОм3 В1.3 Вт20 нКлПоверхностный
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3   VISHAY PowerPAKВ® SO-8 Dual - - -   от 46.21 руб. 24000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 20 А2N-канальныйСтандартный40 В20 А19 мОм2.8 В15.6 Вт15 нКл565 пФПоверхностный
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3   VISHAY PowerPAKВ® SO-8 Dual - - -   от 64.07 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 3.2 А2P-канальныйЛогическое управление60 В3.2 А64 мОм3 В1.5 Вт40 нКлПоверхностный
SI7949DP-T1-GE3 SI7949DP-T1-GE3   VISHAY PowerPAKВ® SO-8 Dual - - -   от 50.83 руб. 6000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 3.2 А2P-канальныйЛогическое управление60 В3.2 А64 мОм3 В1.5 Вт40 нКлПоверхностный
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3   VISHAY PowerPAKВ® SO-8 Dual - - -   от 79.27 руб. 42000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 60 А2P-канальныйСтандартный30 В60 А5.5 мОм2.2 В46 Вт160 нКл6200 пФПоверхностный
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC от 17.10 руб 236 -   от 13.81 руб. 146800 150 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4 А2P-канальныйЛогическое управление20 В4 А58 мОм1.4 В3.1 Вт26 нКл665 пФПоверхностный
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC от 33.22 руб 500 -   от 22.25 руб. 1022000 100 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А2N-канальныйЛогическое управление60 В5.3 А58 мОм3 В3.1 Вт20 нКл665 пФПоверхностный
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3   VISHAY PowerPAKВ® SC-70-6 Dual - - -   от 30.93 руб. 15000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 12 В, 4.5 АN/P-канальныйЛогическое управление12 В4.5 А29 мОм1 В6.5 Вт15 нКл500 пФПоверхностный
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3   VISHAY PowerPAKВ® 1212-8 Dual - - -   от 24.10 руб. 6000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 12.1 А2N-канальныйСтандартный100 В12.1 А85 мОм4 В25 Вт8 нКл250 пФПоверхностный
STA509A STA509A   SANKEN 10-SIP от 408.76 руб 108 108   от 405.53 руб. 90 2 22 Сборка из полевых транзисторов, 4xN-канал, 50В 3А 4Вт
STL40DN3LLH5 STL40DN3LLH5   STM PowerFlat[тм] (5x6) от 55.88 руб 46 16   от 22.86 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 40 А2N-канальныйСтандартный30 В40 А18 мОм1.5 В60 Вт4.5 нКл475 пФПоверхностный
STL7DN6LF3 STL7DN6LF3   STM PowerFlat[тм] (5x6) от 47.72 руб 48 48   - - - 3000 Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 60 В2N-канальныйЛогическое управление60 В20 А43 мОм3 В52 Вт8.8 нКл432 пФПоверхностный
STL8DN10LF3 STL8DN10LF3   STM PowerFlat[тм] (5x6) от 31.33 руб 95 95   - - - 3000 Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 100 В, 20 А2N-канальныйЛогическое управление100 В20 А35 мОм3 В70 Вт20.5 нКл970 пФПоверхностный
STM8306 STM8306   SamHop 8-SOIC от 18.39 руб 405 405   - - - 100 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 7 А/6 А, 35 мОм/52 мОм, 2 Вт
STM8309 STM8309   SamHop 8-SOIC от 22.82 руб 169 169   - - - 200 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 7 А/6 А, 30 мОм/52 мОм, 2 Вт
STM8405 STM8405   SamHop 8-SOIC от 32.99 руб 57 57   - - - 80 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 7 А/5 А, 25 мОм/45 мОм, 2 Вт

<<<9101112131415>>>

сообщение об ошибке