8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки MOSFET транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:


<<<910111213141516>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиМаксимальное напряжение сток-истокМаскимальный ток стокаСопротивление открытого каналаПороговое напряжение включения макс.Максимальная рассеиваемая мощностьЗаряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
Si4542DY Si4542DY   VISHAY 8-SOIC от 51.67 руб 276 276   - - - 250 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, -6 А/6 А, 2 Вт
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC от 29.03 руб 64 40   от 23.38 руб. 57400 200 2500 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В, 5.3 А, 3.4 ВтN/P-канальныйЛогическое управление60 В5.3 А, 3.9 А58 мОм3 В3.1 Вт, 3.4 Вт20 нКл665 пФПоверхностный
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 33.23 руб. 2500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 10 АN/P-канальныйЛогическое управление40 В10 А, 9.2 А17.5 мОм2 В3.1 Вт, 3.2 Вт31 нКл855 пФПоверхностный
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 21.90 руб. 15000 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 6.8 АN/P-канальныйЛогическое управление40 В6.8 А, 5.8 А35.5 мОм3 В3 Вт, 3.1 Вт20 нКл640 пФПоверхностный
SI4804CDY-T1-GE3 SI4804CDY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 25.09 руб. 2500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А2N-канальныйСтандартный30 В8 А22 мОм2.4 В3.1 Вт23 нКл865 пФПоверхностный
SI4909DY-T1-GE3 SI4909DY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 30.91 руб. 2500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 40 В, 8 А2P-канальныйЛогическое управление40 В8 А27 мОм2.5 В3.2 Вт63 нКл2000 пФПоверхностный
SI4922BDY-T1-GE3 SI4922BDY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 45.70 руб. 5000 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А2N-канальныйСтандартный30 В8 А16 мОм1.8 В3.1 Вт62 нКл2070 пФПоверхностный
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC от 27.29 руб 1170 50   от 20.99 руб. 33000 250 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 8 А, 5W2P-канальныйСтандартный30 В8 А29 мОм3 В5 Вт50 нКл1350 пФПоверхностный
SI4936BDY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 20.02 руб. 15000 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.9 А2N-канальныйЛогическое управление30 В6.9 А35 мОм3 В2.8 Вт15 нКл530 пФПоверхностный
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC от 18.43 руб 212 45   от 11.52 руб. 79500 300 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.8 А, 2.3 Вт2N-канальныйЛогическое управление30 В5.8 А40 мОм3 В2.3 Вт9 нКл325 пФПоверхностный
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 26.59 руб. 27500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 6.5 А2N-канальныйЛогическое управление60 В6.5 А41 мОм3 В3.7 Вт25 нКл840 пФПоверхностный
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 26.97 руб. 195000 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 6.5 А2N-канальныйЛогическое управление60 В6.5 А41 мОм3 В3.7 Вт25 нКл840 пФПоверхностный
SI4948BEY-T1-E3 SI4948BEY-T1-E3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 22.26 руб. 370000 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.4 А2P-канальныйЛогическое управление60 В2.4 А120 мОм3 В1.4 Вт22 нКлПоверхностный
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 28.83 руб. 7700 200 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.4 А2P-канальныйЛогическое управление60 В2.4 А120 мОм3 В1.4 Вт22 нКлПоверхностный
SI4963BDY-T1-E3 SI4963BDY-T1-E3   VISHAY 8-SOIC - - -   от 34.99 руб. 7500 2500 2500 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А2P-канальныйЛогическое управление20 В4.9 А32 мОм1.4 В1.1 Вт21 нКлПоверхностный
SI4963BDY-T1-GE3 SI4963BDY-T1-GE3   VISHAY 8-SOIC - - -   - - - 1 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.9 А2P-канальныйЛогическое управление20 В4.9 А32 мОм1.4 В1.1 Вт21 нКлПоверхностный
SI5504BDC-T1-E3 SI5504BDC-T1-E3   VISHAY 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 21.72 руб. 6000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 АN/P-канальныйЛогическое управление30 В4 А, 3.7 А65 мОм3 В3.12 Вт, 3.1 Вт7 нКл220 пФПоверхностный
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3   VISHAY 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 27.84 руб. 9000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 АN/P-канальныйЛогическое управление30 В4 А, 3.7 А65 мОм3 В3.12 Вт, 3.1 Вт7 нКл220 пФПоверхностный
SI5908DC-T1-E3 SI5908DC-T1-E3   VISHAY 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 27.94 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.4 А2N-канальныйЛогическое управление20 В4.4 А40 мОм1 В1.1 Вт7.5 нКлПоверхностный
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3   VISHAY 1206-8 ChipFET[тм] - - -   от 12.90 руб. 9000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4 А2P-канальныйСтандартный20 В4 А100 мОм1 В3.1 Вт11 нКл455 пФПоверхностный
SI6913DQ-T1-GE3 SI6913DQ-T1-GE3   VISHAY 8-MSOP - - -   от 78.40 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 4.9 А2P-канальныйЛогическое управление12 В4.9 А21 мОм900 мВ830 мВт28 нКлПоверхностный
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3   VISHAY 8-MSOP - - -   - - - 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.1 А2N-канальныйЛогическое управление20 В4.1 А30 мОм1 В830 мВт10.5 нКлПоверхностный
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3   VISHAY 8-MSOP - - -   от 25.76 руб. 3000 3000 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.1 А2N-канальныйЛогическое управление20 В4.1 А30 мОм1 В830 мВт10.5 нКлПоверхностный
SI6954ADQ-T1-E3 SI6954ADQ-T1-E3   VISHAY 8-MSOP - - -   - - - 3000 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.1 А2N-канальныйЛогическое управление30 В3.1 А53 мОм1 В830 мВт16 нКлПоверхностный

<<<910111213141516>>>

сообщение об ошибке