Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки MOSFET транзисторов (175)

FDG6332C Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 700 мА, 600 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6332C_F085 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 700 мА, 600 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG6335N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 700 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG8842CZ Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В/-25 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В, 25 В Маскимальный ток стока: 750 мА, 410 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDG8850NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 750 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт

Сообщить о поступлении

FDMA1023PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDMA1024NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDMA1025P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.1 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDMA1027P Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6

Сообщить о поступлении

FDMA1028NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDMA1029PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.1 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDMA1032CZ Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.7 А, 3.1 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDMA2002NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 650 мВт

Сообщить о поступлении

FDMA3023PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.9 А, 1.4 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.9 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDMA3027PZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 3.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 3.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDMA6023PZT Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт

Сообщить о поступлении

FDMB2307NZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный Производитель: ON Semiconductor Корпус: MLP6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальная рассеиваемая мощность: 800 мВт

Сообщить о поступлении

FDMB3800N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 4.8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 750 мВт

Сообщить о поступлении

FDMB3900AN Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: * Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 800 мВт

Сообщить о поступлении

FDMC8030 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 12 А Максимальная рассеиваемая мощность: 800 мВт

Сообщить о поступлении