Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (175)
NTUD3170NZT5G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.22 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-963 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 220 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 125 мВт
NTZD3152PT1G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 430 мА, 0.28Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 430 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт
NTZD3154NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 540 мА, 0.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 540 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт
NTZD3155CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 0.54 А/0.43 А, 0.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 540 мА, 430 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт
NTZD3155CT2G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: N+P-channel Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 0.54A/0.43A
NTZD5110NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.294 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 294 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт
NVJD4401NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.63 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 630 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 270 мВт
NVMFD5853NLT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 12 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3 Вт
NVMFD5873NLT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 10 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
NVMFD5877NLT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 Вт
NVMFS5C604NLT1G MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R Производитель: ON Semiconductor
NVTJD4001NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.25 А Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
SI4532DY Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 3.9 А/3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8
Акция Si4532DY Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, -3.5 А/3.9 А, 85 мОм/65 мОм, 2 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8
STZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 540MA SOT563 Производитель: ON Semiconductor
На странице: