Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Максимальное напряжение сток-исток
Маскимальный ток стока
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (81)
2N7002DW-7-F Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 230 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 230 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 310 мВт
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
54 793 шт
Цена от:
от 1,63
2N7002DWQ-13-F Производитель: Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
54 793 шт
Цена от:
от 1,63
2N7002DWQ-7-F Производитель: Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
54 793 шт
Цена от:
от 1,63
BSS84V-7 MOSFET 2P-CH 50V 130MA SOT-563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2 P-Channel (Dual) Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 50V Маскимальный ток стока: 130mA Максимальная рассеиваемая мощность: 150mW
DMC1229UFDB-13 MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Тип транзистора: N and P-Channel Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 12V Маскимальный ток стока: 5.6A, 3.8A Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4W
DMC2004VK-7 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 670 мА, 530 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 450 мВт
DMC2020USD-13 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 7.8 А/6.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 7.8 А, 6.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
DMC2038LVT-7 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 0.8Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.7 А, 2.6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 800 мВт
DMC2038LVTQ-7 Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R Производитель: Diodes Incorporated Тип транзистора: N+P-channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 4.5A/3.1A
DMC2400UV-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: N+P-channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 1.030A/0.7A
DMC2700UDM-7 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 1.34 А, 1.14 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.12 Вт
DMC2990UDJ-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT963 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-963 Тип транзистора: N and P-Channel Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 450mA, 310mA Максимальная рассеиваемая мощность: 350mW
DMC4028SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 6.5 А, 4.8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
DMC4040SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 6.8 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SO-8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 40 В Маскимальный ток стока: 6.8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
DMC4040SSDQ-13 Trans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R Производитель: Diodes Incorporated Тип транзистора: N+P-channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 40V Маскимальный ток стока: 7.5A
DMC6040SSD-13 MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A SO-8 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N and P-Channel Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 60V Маскимальный ток стока: 5.1A, 3.1A Максимальная рассеиваемая мощность: 1.24W
DMG1016UDW-7 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 1.07 А, 845 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 330 мВт
DMG1016UDWQ-7 Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: N+P-channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 1.066A/0.845A
DMG1016V-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: N+P-channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 20V Маскимальный ток стока: 0.87A/0.64A
DMG1023UV-7 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.03 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-563-6 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 1.03 А Максимальная рассеиваемая мощность: 530 мВт
На странице: