На основе карбида кремния Cree, Inc.

Фильтр
Фильтр
На основе карбида кремния (8)
Новинка C2M0080120D Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 1.2KВ 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Производитель: Cree, Inc.
C2M0160120D Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247 Производитель: Cree, Inc.
C3M0016120K Транзистор полевой MOSFET N-канальный, 1.2KV, 115A, TO-247 Производитель: Cree, Inc. Корпус: TO-247-4L
C3M0021120D Транзистор N-MOSFET, SiC; технология C3M; 1200 В; 81 А; 21 мОм; 469 Вт; TO-247-3. Производитель: Cree, Inc. Корпус: TO-247
Новинка C3M0030090K Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 900В 73А 4-Pin(4+Tab) TO-247 Производитель: Cree, Inc. Корпус: TO-247-4L
C3M0032120K Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 1200В 63А 4-Pin(4+Tab) TO-247 Производитель: Cree, Inc. Корпус: TO-247-4L
C3M0120090D Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 900В 23А автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 Производитель: Cree, Inc. Корпус: TO-247
C4D40120H SiC диод Шоттки 1200В, 40А, TO-247-2 Производитель: Cree, Inc. Корпус: TO-247-2
На странице: