Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (13)
GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) Производитель: Toshiba Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 50A Макс. рассеиваемая мощность: 240W
Наличие:
25 шт

Под заказ:
26 шт
Цена от:
от 1 542,48
GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 50A Макс. рассеиваемая мощность: 230W
Наличие:
2 812 шт

Под заказ:
7 274 шт
Цена от:
от 113,87
GT30F124 Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 30 А Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F
GT30F125 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 200 А Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F
Акция GT30G122 Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 30 А Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220SIS (SC-67) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 400V Макс. ток коллектора: 30A
GT30J124 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F
GT30J127 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А/200 А, 25 Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F
GT30J322 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 75 Вт (Recommended replacement: GT30J341) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3PF
GT35J321 Биполярный транзистор IGBT, 75 Вт, 600 В, 20 А (Recommended replacement: GT30J341) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3PF
Акция GT45G122 Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 45 А, 25 Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 400V Макс. ток коллектора: 45A Макс. рассеиваемая мощность: 25W
Акция GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO264
GT50J327 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 50A
Акция GT60N321 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: 2-21F2C Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000V Макс. ток коллектора: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 170W
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Toshiba Semiconductor в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"