Одиночные IGBT транзисторы

1027
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (1027)
Акция
FGH40N60SMD FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
870 мкДж
Наличие:
618 шт

Внешние склады:
1 274 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 151,32
FGH40T120SMD FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
555 Вт
Переключаемая энергия:
2.7 мДж
Наличие:
613 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 286,88
Акция
STGP3NC120HD STGP3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
14A
Импульсный ток коллектора макс.:
20A
Макс. рассеиваемая мощность:
75W
Переключаемая энергия:
236 µJ (on), 290 µJ (off)
Наличие:
611 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 126,63
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
604 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 123,64
STGW20NC60VD STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
Наличие:
577 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 228,55
STGB18N40LZT4 STGB18N40LZT4 Биполярный транзистор IGBT 420В 30А 150Вт D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Наличие:
464 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 73,98
FGA60N65SMD FGA60N65SMD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PN
Наличие:
424 шт

Внешние склады:
769 шт
Цена от:
от 218,64
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
217 Вт
Переключаемая энергия:
1.55 мДж
Наличие:
422 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 253,13
STGF3NC120HD STGF3NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
20 А
Макс. рассеиваемая мощность:
25 Вт
Переключаемая энергия:
236 мкДж
Наличие:
394 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 153,51
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 60 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Наличие:
382 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,88
Акция
STGP6NC60HD STGP6NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 56 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
21 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
20 мкДж
Наличие:
338 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,51
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
326 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 162,22
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
316 шт

Внешние склады:
530 шт
Цена от:
от 183,18
STGW30NC60WD STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
305 мкДж
Наличие:
313 шт

Внешние склады:
209 шт
Цена от:
от 213,97
IRG4BC30WPBF IRG4BC30WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
Наличие:
310 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 121,39
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 48 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
25 А
Макс. рассеиваемая мощность:
48 Вт
Переключаемая энергия:
1.15 мДж
Наличие:
291 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 75,22
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
480 Вт
Переключаемая энергия:
5.25 мДж
Наличие:
290 шт

Внешние склады:
505 шт
Цена от:
от 285,46
IRGP4640DPBF IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
65 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
265 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 441,20
STGF6NC60HD STGF6NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 20W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
21 А
Макс. рассеиваемая мощность:
20 Вт
Переключаемая энергия:
20 мкДж
Наличие:
265 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 89,44
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
262 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 332,56
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"