Одиночные IGBT транзисторы

1027
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (1027)
DG25X12T2 DG25X12T2 Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 1200В/25А общего применения
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247-3
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
3 011 шт
Цена от:
от 139,11
IRGP4063PBF IRGP4063PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
96 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 271,41
Акция
STGP10NC60HD STGP10NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 56 Вт, 10 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
31.8 мкДж
Наличие:
146 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 132,95
IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
308 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
Наличие:
138 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 660,71
STGP14NC60KD STGP14NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 79,88
Акция
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60TXKSA1 Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Наличие:
121 шт

Внешние склады:
1 239 шт
Цена от:
от 85,54
Акция
IRG4BC40KPBF IRG4BC40KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
42 А
Импульсный ток коллектора макс.:
84 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
620 мкДж
Наличие:
121 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 249,72
DG50X06T2 DG50X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
1 636 шт
Цена от:
от 91,11
Акция
IRGB4059DPBF IRGB4059DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 56 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
8 А
Импульсный ток коллектора макс.:
16 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
35 мкДж
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 50,21
Акция
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
115 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 371,49
IKW08T120FKSA1 IKW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
8A
Наличие:
115 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 218,06
Акция
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
165 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
Наличие:
114 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 378,61
IRGB4062DPBF IRGB4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
114 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 311,24
IRGS4620DPBF IRGS4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
32 А
Импульсный ток коллектора макс.:
36 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
Наличие:
113 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 202,40
STGWA40M120DF3 STGWA40M120DF3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
468W
Переключаемая энергия:
1.03mJ (on), 480 µJ (off)
Наличие:
112 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 308,18
Акция
IRG4PC40FPBF IRG4PC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
49 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
Наличие:
106 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 454,57
Акция
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
31.8 мкДж
Наличие:
103 шт

Внешние склады:
320 шт
Цена от:
от 155,38
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
102 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 393,18
Акция
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
375 шт
Цена от:
от 202,64
IRG4BC40SPBF IRG4BC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 278,32
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"