Одиночные IGBT транзисторы

1027
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (1027)
STGD8NC60KDT4 STGD8NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 62 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
62 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
STGF10H60DF STGF10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 30 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
30 Вт
Переключаемая энергия:
83 мкДж
STGF10M65DF2 STGF10M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
STGF10NC60KD STGF10NC60KD IGBT 600В/10А/Uкэ нас. 2.2-2.5В/65Вт встроенный диод
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
STGF15M65DF2 STGF15M65DF2 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 30A 31Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Акция
STGF19NC60WD STGF19NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
14 А
Макс. рассеиваемая мощность:
32 Вт
Переключаемая энергия:
81 мкДж
STGF20H60DF STGF20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 37 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
37 Вт
Переключаемая энергия:
209 мкДж
STGF20NB60S STGF20NB60S Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
70 А
Макс. рассеиваемая мощность:
40 Вт
Переключаемая энергия:
840 мкДж
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 IGBT, 650V, 60A, 175°C, 38W;
Производитель:
ST Microelectronics
STGF7H60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 14A 24Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ST Microelectronics
STGF7NB60SL STGF7NB60SL Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 25 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
20 А
Макс. рассеиваемая мощность:
25 Вт
Переключаемая энергия:
4.1 мДж
STGF7NC60HD STGF7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 25 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
10 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
25 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
STGFW40V60DF STGFW40V60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Производитель:
ST Microelectronics
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG IGBT, 650V, 60A, 260W;
Производитель:
ST Microelectronics
STGHU30M65DF2AG STGHU30M65DF2AG IGBT, SINGLE, 650V, 84A, HU3PAK;
Производитель:
ST Microelectronics
STGP10H60DF STGP10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
115 Вт
Переключаемая энергия:
83 мкДж
Акция
STGP10NB60S STGP10NB60S Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
29 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
STGP15H60DF STGP15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
115 Вт
Переключаемая энергия:
136 мкДж
STGP19NC60SD STGP19NC60SD Биполярный транзистор IGBT, 10 КГц, 20 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
130 Вт
Переключаемая энергия:
135 мкДж
STGP19NC60WD STGP19NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 22 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
81 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"