Одиночные IGBT транзисторы

1027
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (1027)
STGP20V60DF STGP20V60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 167Вт TO220AB
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
167W
Переключаемая энергия:
200 µJ (on), 130 µJ (off)
STGP20V60F STGP20V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
200 мкДж
STGP30H60DFB 260W 600V TO-220 Single IGBTs RoHS
Производитель:
ST Microelectronics
STGP30NC60W STGP30NC60W Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
305 мкДж
STGP30V60DF STGP30V60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 258Вт TO220AB
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
258W
Переключаемая энергия:
383 µJ (on), 233 µJ (off)
STGP30V60F STGP30V60F Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
STGP3HF60HD STGP3HF60HD Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 7.5A 38 Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
STGP5H60DF STGP5H60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 10A 88Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
ST Microelectronics
STGPL6NC60D STGPL6NC60D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
14 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
46.5 мкДж
STGSB200M65DF2AG STGSB200M65DF2AG IGBT, 650V, 216A, 714W;
Производитель:
ST Microelectronics
STGW15H120DF2 STGW15H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 15 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
259 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
STGW20H60DF STGW20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
209 мкДж
Новинка
STGW20IH125DF STGW20IH125DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1250В 40A 259Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
259W
Переключаемая энергия:
410 µJ (off)
Акция
STGW20V60DF STGW20V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
200 мкДж
STGW25H120DF2 STGW25H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 25 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
STGW25H120F2 STGW25H120F2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 25 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
STGW28IH125DF STGW28IH125DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1250В 60A 375Вт TO-247
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250V
Макс. ток коллектора:
60A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
375W
Переключаемая энергия:
720 µJ (off)
STGW30M65DF2 STGW30M65DF2 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 60A, TO-247;
Производитель:
ST Microelectronics
Акция
STGW30N120KD STGW30N120KD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGW30NC120HD STGW30NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 220 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
220 Вт
Переключаемая энергия:
1.66 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"