Одиночные IGBT транзисторы

1027
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (1027)
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
125 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
350 мкДж
STGW35HF60WDA STGW35HF60WDA Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 35 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
290 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
340 шт
Цена от:
от 285,54
STGW35NB60SD STGW35NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
250 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
840 мкДж
Акция
STGW38IH130D STGW38IH130D Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1300V
Макс. ток коллектора:
33А
Переключаемая энергия:
3.4 мДж
Акция
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 468 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
468 Вт
Переключаемая энергия:
1 мДж
STGW40H60DLFB STGW40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
283W
Переключаемая энергия:
363 мкДж
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
283 Вт
Переключаемая энергия:
498 мкДж
STGW40H65FB STGW40H65FB TRANSISTOR, IGBT, 650V, 80A, TO-247;
Производитель:
ST Microelectronics
STGW40N120KD STGW40N120KD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
240 Вт
Переключаемая энергия:
3.7 мДж
STGW40NC60KD STGW40NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 38 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
595 мкДж
Акция
STGW40NC60WD STGW40NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
230 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
302 мкДж
STGW40S120DF3 STGW40S120DF3 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 486 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGW40V60DLF STGW40V60DLF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
283W
Переключаемая энергия:
411 мкДж
STGW40V60F STGW40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
283 Вт
Переключаемая энергия:
456 мкДж
STGW45HF60WDA STGW45HF60WDA Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGW45HF60WDB STGW45HF60WDB Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGW45HF60WDC STGW45HF60WDC Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Акция
STGW45NC60VDC STGW45NC60VDC Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 270 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Акция
STGW50HF60SD STGW50HF60SD Биполярный транзистор IGBT, 1 КГц, 60 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGW60H60DLFB STGW60H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
375W
Переключаемая энергия:
626 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"