Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (681)
Акция STGD14NC60KT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 25 А Макс. рассеиваемая мощность: 80 Вт Переключаемая энергия: 82 мкДж
STGD18N40LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 30 А, 150 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Макс. напр. коллектор-эмиттер: 420 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт
STGD3HF60HDT4 IGBT 600V 7.5A 38W DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 7.5A Импульсный ток коллектора макс.: 18A Макс. рассеиваемая мощность: 38W Переключаемая энергия: 19 µJ (on), 12 µJ (off)
STGD5NB120SZ-1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5 А, 55 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 10 А Импульсный ток коллектора макс.: 10 А Макс. рассеиваемая мощность: 75 Вт Переключаемая энергия: 2.59 мДж
STGD5NB120SZT4 IGBT 1200V 10A 75W DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 10A Импульсный ток коллектора макс.: 10A Макс. рассеиваемая мощность: 75W Переключаемая энергия: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
STGD7NB60ST4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 55 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 55 Вт Переключаемая энергия: 3.5 мДж
STGD7NC60HT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 25 А, 70 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 50 А Макс. рассеиваемая мощность: 70 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж
STGD8NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 62 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 62 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж
STGF10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 30 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 30 Вт Переключаемая энергия: 83 мкДж
STGF10NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 25 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 25 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
STGF15M65DF2 Производитель: ST Microelectronics
Акция STGF19NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 14 А Макс. рассеиваемая мощность: 32 Вт Переключаемая энергия: 81 мкДж
STGF20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 37 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 37 Вт Переключаемая энергия: 209 мкДж
STGF20NB60S Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 24 А Импульсный ток коллектора макс.: 70 А Макс. рассеиваемая мощность: 40 Вт Переключаемая энергия: 840 мкДж
STGF7H60DF Производитель: ST Microelectronics
STGF7NB60SL Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 25 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 25 Вт Переключаемая энергия: 4.1 мДж
Акция STGF7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 25 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 10 А Импульсный ток коллектора макс.: 50 А Макс. рассеиваемая мощность: 25 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж
STGP10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 115 Вт Переключаемая энергия: 83 мкДж
STGP10NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 29 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 80 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
STGP15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 115 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 115 Вт Переключаемая энергия: 136 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"