Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (681)
STGP19NC60SD Биполярный транзистор IGBT, 10 КГц, 20 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 130 Вт Переключаемая энергия: 135 мкДж
STGP19NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 22 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт Переключаемая энергия: 81 мкДж
STGP20V60DF IGBT 600V 40A 167W TO220AB Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 167W Переключаемая энергия: 200 µJ (on), 130 µJ (off)
STGP20V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 200 мкДж
Акция STGP30NC60W Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж
STGP30V60DF IGBT 600V 60A 258W TO220AB Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 258W Переключаемая энергия: 383 µJ (on), 233 µJ (off)
Акция STGP30V60F Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж
STGP3HF60HD Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 7.5A 38 Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB
STGP40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 456 мкДж
STGP5H60DF Производитель: ST Microelectronics
Акция STGPL6NC60D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 14 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 56 Вт Переключаемая энергия: 46.5 мкДж
STGW15H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 15 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 259 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
STGW20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 209 мкДж
Новинка STGW20IH125DF IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1250V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 259W Переключаемая энергия: 410 µJ (off)
Акция STGW20V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 200 мкДж
STGW25H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 25 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
STGW25H120F2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 25 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
STGW28IH125DF IGBT 1250V 60A 375W TO-247 Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1250V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 375W Переключаемая энергия: 720 µJ (off)
Акция STGW30N120KD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
STGW30NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 220 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 220 Вт Переключаемая энергия: 1.66 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"