Одиночные IGBT транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (681)

AUIRGR4045D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж

Наличие:

53 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 299,24₽

DG25X12T2 Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 1200В/25А общего применения Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247-3

Наличие:

54 шт

Под заказ:

5 805 шт

Цена от:

от 292,44₽

Новинка

DG40X12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247

Наличие:

42 шт

Под заказ:

3 764 шт

Цена от:

от 289,13₽

Новинка

DG50Q12T2 Биполярный транзитсор IGBT 1200В 80A 672Вт TO-247 PLUS Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247

Наличие:

20 шт

Под заказ:

580 шт

Цена от:

от 573,30₽

DG75Q12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 150A 937Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247

Наличие:

35 шт

Под заказ:

3 144 шт

Цена от:

от 647,67₽

DG75X12T2 Биполярный транзистор IGBT, 1200В 150A TO-247 PLUS Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247

Наличие:

38 шт

Под заказ:

1 574 шт

Цена от:

от 707,41₽

GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) Производитель: Toshiba Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 50A Макс. рассеиваемая мощность: 240W

Наличие:

25 шт

Под заказ:

26 шт

Цена от:

от 1 549,98₽

GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 50A Макс. рассеиваемая мощность: 230W

Наличие:

2 815 шт

Под заказ:

7 274 шт

Цена от:

от 113,87₽

IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 74 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 255 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж

Наличие:

298 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 472,20₽

Новинка

IGW20N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3-46

Наличие:

235 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

309 шт

Цена от:

от 385,43₽

IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 306W

Наличие:

52 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 618,84₽

IGW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 75A Макс. рассеиваемая мощность: 270W

Наличие:

98 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 733,40₽

IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 9.5 мДж

Наличие:

52 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 526,08₽

IHW20N120R3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 310W Переключаемая энергия: 950 мкДж

Наличие:

1 177 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 227,62₽

IHW20N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1350V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 288W Переключаемая энергия: 950 µJ (off)

Наличие:

353 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 190,23₽

IHW30N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247

Наличие:

190 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 643,83₽

IHW30N160R2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1600V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 310W

Наличие:

25 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 2 165,99₽

IHW30N160R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3-46 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1600 В Макс. ток коллектора: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 310 Вт

Наличие:

910 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 364,51₽

IHW40N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3

Наличие:

129 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 650,17₽

IHW40N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3

Наличие:

41 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 394,05₽

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"