Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (214)
AUIRGR4045D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak (TO-252AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
Наличие:
126 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 82,85
FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 165 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
Наличие:
531 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 152,78
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.13 мДж
Наличие:
989 шт
Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 214,42
FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 349 Вт Переключаемая энергия: 870 мкДж
Наличие:
306 шт
Под заказ:
80 шт
Цена от:
от 264,38
FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.19 мДж
Наличие:
604 шт
Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 274,36
FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 600 Вт Переключаемая энергия: 1.26 мДж
Наличие:
857 шт
Под заказ:
800 шт
Цена от:
от 262,02
HGTG12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 54 А Импульсный ток коллектора макс.: 96 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж
Наличие:
90 шт
Под заказ:
30 шт
Цена от:
от 169,20
HGTG30N60A4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 463 Вт Переключаемая энергия: 280 мкДж
Наличие:
253 шт
Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 282,62
IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 333 Вт Переключаемая энергия: 2.36 мДж
Наличие:
258 шт
Под заказ:
70 шт
Цена от:
от 394,04
IRG4BC20FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 64 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 250 мкДж
Наличие:
267 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 81,94
IRG4BC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 28 А Импульсный ток коллектора макс.: 56 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 600 мкДж
Наличие:
199 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 167,32
IRG4BC30WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 130 мкДж
Наличие:
1 554 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 115,76
IRG4BC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 320 мкДж
Наличие:
468 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 172,21
IRG4IBC20UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11.4 А, 34 Вт Производитель: Infineon Technologies Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 11.4 А Импульсный ток коллектора макс.: 52 А Макс. рассеиваемая мощность: 34 Вт Переключаемая энергия: 160 мкДж
Наличие:
41 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 93,95
IRG4PC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 450 мкДж
Наличие:
75 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 217,25
IRG4PC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 320 мкДж
Наличие:
150 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 242,73
IRG4PC40WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 110 мкДж
Наличие:
100 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 573,12
IRG4PC50FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 280 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
Наличие:
88 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 227,67
IRG4PC50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 70 А Импульсный ток коллектора макс.: 140 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 720 мкДж
Наличие:
69 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 302,42
IRGB4056DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 140 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 24 А Импульсный ток коллектора макс.: 48 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 75 мкДж
Наличие:
79 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 149,84
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, IXYS, Littelfuse, ST Microelectronics, Toshiba, ON Semiconductor. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.95 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России, в Казахстан и Беларусь

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге или в Москве.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Казахстан и Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"