Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (113)
FGH60N60SFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247
FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 600 Вт Переключаемая энергия: 1.26 мДж
FGH60N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 290W
FGH75N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 452 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 150 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 452 Вт Переключаемая энергия: 3.05 мДж
FGH75T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 150 А, 375 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 150 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 2.85 мДж
FGH80N60FDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 160A Макс. рассеиваемая мощность: 290W Переключаемая энергия: 1mJ (on), 520 µJ (off)
FGHL50T65SQ IGBT Transistors Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247
FGL40N120ANDTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 64A Макс. рассеиваемая мощность: 500W
FGL40N120ANTU Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 64 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 500 Вт Переключаемая энергия: 2.3 мДж
FGL60N100BNTD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт
FGL60N100BNTDTU Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 180 Вт
FGP10N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 139 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 20 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 139 Вт Переключаемая энергия: 150 мкДж
FGP15N60UNDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 178 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220-3
Новинка FGP20N60UFD IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220
FGP20N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 165 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
FGPF4533 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А/200 А, 28 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
FGPF4533TU Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А/200 А, 28 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
FGPF4536 Биполярный транзистор IGBT, 230 В, 50 А, 30 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
FGPF4536 Биполярный транзистор IGBT, 230 В, 50 А, 30 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F
FGPF4633 Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F formed lead
На странице: