IRF7495PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Obsolete
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7495PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка95 шт
-
Вес брутто0.2 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF7495PBF
MOSFET, N, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 7.3A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 58A Pin Configuration (1+2+3)S, 4G, (8+7+6+5)D Power, Pd 2.5W Time, Fall 36ns Time, Rise 13ns Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs Max 20V
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 ом при 4.4a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7495TRPBF MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/RНаличие:233 штМинимум:штЦена от:122,01 ₽INFSO-8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара