2SK2611, Полевой транзистор, N-канальный, 900В 9А 150Вт (Recommended replacement: TK9J90E)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Obsolete
Field-effect transistor, N-channel, 900V 9A 150W
Полевой транзистор, N-канальный, 900В 9А 150Вт (Recommended replacement: TK9J90E)
Полевой транзистор, N-канальный, 900В 9А 150Вт (Recommended replacement: TK9J90E)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SK2611
Документы:
Описание 2SK2611
Характеристики
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Крутизна характеристики, S | 7 |
| Корпус | to3p(n) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара