MB10S, Диодный мост 0.5А 1000В
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Мост 0.5А,1000V
DIODE BRIDGE 0.5A 1000V MBS
Диодный мост 0.5А 1000В
Диодный мост 0.5А 1000В
Производитель:
Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Артикул:
MB10S
Документы:
Технические параметры
-
КорпусMB-S
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.22 г.
Описание MB10S
Характеристики
| Максимальное постоянное обратное напряжение,В | 1000 |
|---|---|
| Максимальное импульсное обратное напряжение,В | 1000 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.5 |
| Максимальный допустимый прямой импульсный ток,А | 30 |
| Максимальный обратный ток,мкА | 10 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.05 |
| при Iпр.,А | 0.4 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | - |
| Общая емкость Сд,пФ | - |
| Рабочая температура,С | -55…+150 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | mbs |
| Количество фаз | 1 |
Полные аналоги
-
MB10S DIODE BRIDGE 0.5A 1000V 4-SOICНаличие:467347 штМинимум:штЦена от:1,18 ₽HottechMB-S
-
MB10S TR BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 500MA MBSНаличие:8885 штМинимум:штЦена от:2,82 ₽MIC
-
MB10S DIODE BRIDGE 0.5A 1000V MBSНаличие:3788 штМинимум:штЦена от:4,71 ₽YJMB-S
-
MB10S TP DIODE BRIDGE 0.5A 1000V 4-SOICMICMB-S
-
MB10S DIODE BRIDGE 0.5A 1000V 4-SOICONSMB-S
-
MB10S DIODE BRIDGE 0.5A 1000V 4-SOICDIOTECMB-S
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара