STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STGP14NC60KD
Документы:
Описание STGP14NC60KD
The STGP14NC60KD is a short-circuit rugged IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behaviour. It is suitable for SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
• Low on-voltage drop (VCE(sat))
• Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
• Switching losses include diode recovery energy
• 10µs Short-circuit withstand time
| Технология/семейство | powermesh |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 25 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 50 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 80 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 22.5 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 116 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-220 |
| Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара