IHW20N120R3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Obsolete
IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IHW20N120R3FKSA1
Документы:
Описание IHW20N120R3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 310 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 387 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 1200 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 40 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 310 |
| Корпус | to247 |
| Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара