FDD6637, Транзистор полевой P-канальный 35В 55А 3.1Вт
Field-effect transistor, P-channel, 35 V, 55 A, 3.1 W
Транзистор полевой P-канальный 35В 55А 3.1Вт
Транзистор полевой P-канальный 35В 55А 3.1Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDD6637
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.49 г.
Описание FDD6637
Automotive P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -35 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -55 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0116 ом при-14a, -10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 57 |
Крутизна характеристики, S | 35 |
Корпус | dpak |
Вес, г | 0.4 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара