MJD122T4, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А
NPN Darlington 100V 8A
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
MJD122T4
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.53 г.
-
Тип транзистора
-
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
-
Ток коллектора Макс.
-
Мощность Макс.20 W
-
Коэффициент усиления hFE
-
Тип монтажа
Описание MJD122T4
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Структура | npn darlington c 2 резисторами и диодом |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000…12000 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.75 |
Корпус | dpak(to-252) |
Вес, г | 0.4 |
Полные аналоги
Сообщите мне о поступлении товара