MJE800G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А
TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MJE800G
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-225AA
-
Тип упаковкиBulk (россыпь)
-
Нормоупаковка500 шт.
-
Вес брутто0.779 г.
-
Тип транзистора
-
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
-
Ток коллектора Макс.
-
Мощность Макс.40 W
-
Коэффициент усиления hFE
-
Тип монтажа
Описание MJE800G
The MJE800G is a 4A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
• Complementary device
• Monolithic construction with built-in base-emitter resistors to limit leakage multiplication
Структура | npn darlington |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 60 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
Корпус | to-126 |
Вес, г | 0.9 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара