SPA11N60C3XKSA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 34Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Field-effect transistor, N-channel, 600V 11A 34W
Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 34Вт
Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 34Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
SPA11N60C3XKSA1
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220FP
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто3.12 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание SPA11N60C3XKSA1
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Package Type | TO-220FP |
| Maximum Power Dissipation | 33 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Width | 4.85mm |
| Height | 9.83mm |
| Dimensions | 10.65 x 4.85 x 9.83mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 10.65mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Brand | Infineon |
| Typical Turn-Off Delay Time | 44 ns |
| Series | CoolMOS C3 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Pin Count | 3 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 2 |
Сообщите мне о поступлении товара