STGW60V60DF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
IGBT 600V 80A 375W TO247
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STGW60V60DF
Документы:
Описание STGW60V60DF
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 60 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 208 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Корпус | to-247 |
Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара