STW45NM60, Транзистор полевой N-канальный 650В 45A

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 650V 45A TO-247

Транзистор полевой N-канальный 650В 45A
Код товара: 242765
Дата обновления: 18.04.2023 09:15
Доставка STW45NM60 , Транзистор полевой N-канальный 650В 45A в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-247
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    30 шт
  • Вес брутто
    6.86 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
    45A
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание STW45NM60

MOSFET, N, TO-247; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 600V; Current, Id Cont: 45A; Resistance, Rds On: 0.11ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: TO-247; Termination Type: Through Hole; Case Style, Alternate: SOT-249; Charge, Gate N-channel: 134nC; Current, Idm Pulse: 180A; Pins, No. of: 3; Power, Pd: 417W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V: 0.11ohm; Temperature, Tj Max: 150°C; Temperature, Tj Min: -55°C; Transistors, No. of: 1; Voltage, Rds Measurement: 10V; Voltage, Vds: 650V; Voltage, Vds Max: 650V; Voltage, Vgs Rds N Channel: 10V; Voltage, Vgs th Min: 3V
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 45 А, Сопротивление открытого канала (мин) 110 мОм

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока45 А
Тип корпусаTO-247
Максимальное рассеяние мощности417 Вт
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Ширина5.15мм
Высота20.15мм
Размеры15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Длина15.75мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения30 нс
ПроизводительSTMicroelectronics
СерияMDmesh
Минимальная рабочая температура-65 °C
Maximum Gate Threshold Voltage5
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Максимальное сопротивление сток-исток110 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток600 В
Число контактов3
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs96 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds3800 пФ при 25 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
Вес, г7.5